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據(jù)《中國(guó)日?qǐng)?bào)網(wǎng)》報(bào)道:美國(guó)OakRidge國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研究人員意外發(fā)現(xiàn)了用Cu-Si-C作催化劑,在電催化下CO2與水可直接轉(zhuǎn)化為C2H5OH和O2?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)銅原子核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
,有
1
1
個(gè)未成對(duì)電子。
(2)Cu、Si、C的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
C>Si>Cu
C>Si>Cu

(3)C2H5OH與二甲醚(CH3OCH3)摩爾質(zhì)量相同,但C2H5OH的沸點(diǎn)高于CH3OCH3,其原因是
C2H5OH與CH3OCH3均為分子晶體,C2H5OH分子間能形成氫鍵,而CH3OCH3分子間不能形成氫鍵
C2H5OH與CH3OCH3均為分子晶體,C2H5OH分子間能形成氫鍵,而CH3OCH3分子間不能形成氫鍵
。
(4)CO2的空間構(gòu)型為
直線型
直線型
,其中C的雜化方式為
sp
sp
。
(5)比較下列硅的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因:
SiCl4、SiBr4、SiI4的熔、沸點(diǎn)依次增高,原因是三者均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)
SiCl4、SiBr4、SiI4的熔、沸點(diǎn)依次增高,原因是三者均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)

硅的鹵化物 SiCl4 SiBr4 SiI4
熔點(diǎn)/℃ -70 5.4 120.5
沸點(diǎn)/℃ 57.6 154 287.5
(6)如圖為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其化學(xué)式為
S
i
O
2
-
3
或[SiO3]n2n-
S
i
O
2
-
3
或[SiO3]n2n-

菁優(yōu)網(wǎng)
(7)Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),該晶胞中有
16
16
個(gè)銅原子,若晶胞參數(shù)為a=0.427nm,則該晶體的密度為
8
×
144
N
A
×
0
.
427
×
1
0
-
7
3
8
×
144
N
A
×
0
.
427
×
1
0
-
7
3
g?cm-3(列出計(jì)算式即可)。
【答案】1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1);1;C>Si>Cu;C2H5OH與CH3OCH3均為分子晶體,C2H5OH分子間能形成氫鍵,而CH3OCH3分子間不能形成氫鍵;直線型;sp;SiCl4、SiBr4、SiI4的熔、沸點(diǎn)依次增高,原因是三者均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng);
S
i
O
2
-
3
或[SiO3]n2n-;16;
8
×
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N
A
×
0
.
427
×
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3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:3引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.火法煉銅首先要焙燒黃銅礦(主要成分含CuFeS2),反應(yīng)生成SO2和FeS等,F(xiàn)eS的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確的是( ?。?img alt="菁優(yōu)網(wǎng)" src="https://img.jyeoo.net/quiz/images/svg/202311/654/d5f484b6.png" style="vertical-align:middle;FLOAT:right;" />
    發(fā)布:2024/10/23 5:0:2組卷:42引用:1難度:0.6
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子的2p能級(jí)有3個(gè)電子;C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子;E原子最外層有1個(gè)單電子,其次外層有3個(gè)能級(jí)且均排滿電子;D與E同周期,價(jià)電子數(shù)為2.回答下列問題:
    (1)寫出基態(tài)E+的價(jià)電子排布式:
     
    ?;鶓B(tài)A原子的第一電離能比B的大,其原因是
     

    (2)
    A
    +
    5
    由美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室推進(jìn)科學(xué)與先進(jìn)概念部Karl.O.Christed 于1999年成功合成,其結(jié)構(gòu)呈‘V'形且該離子中各原子均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則
    A
    +
    5
    的結(jié)構(gòu)式為
     
    。
    (3)B3分子的空間構(gòu)型為
     
    ,其中B原子的雜化類型是
     
    ,與B3分子互為等電子體的微粒有
     
    (寫一種離子)。
    (4)向E的硫酸鹽溶液中通入A的氣態(tài)氫化物至過量,產(chǎn)生藍(lán)色沉淀,隨后沉淀溶解得到深藍(lán)色溶液,向溶液中加入適量乙醇,析出藍(lán)色晶體。加入乙醇的目的
     
    。寫出該配合物中配離子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式
     
    。
    (5)由長(zhǎng)周期元素組成的鑭鎳合金、銅鈣合金有相同類型的晶體結(jié)構(gòu)XYn,它們有很強(qiáng)的儲(chǔ)氫能力,其中銅鈣合金的晶體的部分結(jié)構(gòu)如圖所示。
    已知鑭鎳合金(LaNin)晶體中的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元如圖所示,該結(jié)構(gòu)單元的體積為9.0×10-23cm3,儲(chǔ)氫后形成LaNinH4.5的合金(氫進(jìn)入晶體空隙,體積不變),則LaNin中n=
     
     (填數(shù)值);氫在合金中的密度為
     
    g/L。
    發(fā)布:2024/10/24 0:0:2組卷:26引用:2難度:0.3
  • 3.鹵素(F、Cl、Bi、I)可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物。回答下列問題。
    (1)F原子的核外電子有
     
    種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài),F(xiàn)的第一電離能
     
    (填“<”或“>”)Ne的第一電離能。
    (2)-40℃時(shí),F(xiàn)2與冰反應(yīng)生成HOF和HF。常溫常壓下,HOF為無(wú)色氣體,固態(tài)HOF的晶體類型為
     
    ,HOF水解的產(chǎn)物為
     
    (填化學(xué)式)。
    (3)Cl2O的中心原子為O,O原子的軌道雜化方式為
     
    ;ClO2的中心原子為Cl,其分子空間構(gòu)型與Cl2O相同,但ClO2中存在大π鍵(π35),則ClO2中O-Cl-O鍵角
     
    (填“>”“<”或“=”)Cl2O中Cl-O-Cl鍵角。
    (4)鹵化鈉(NaX)和四鹵化鈦(TiX4)的熔點(diǎn)如圖所示,TiX4的熔點(diǎn)呈如圖變化趨勢(shì)的原因?yàn)?
     
    。
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    (5)一定條件下,K、CuCl2和F2反應(yīng)生成KCl和化合物X。已知X屬于四方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)a=b≠c,α=β=γ=90°),其中Cu的化合價(jià)為+2,X的化學(xué)式為
     
    ,若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則化合物X的密度為
     
    g/cm3(用含NA、a、c的代數(shù)式表示)。
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    發(fā)布:2024/10/24 9:0:2組卷:17引用:1難度:0.5
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