據(jù)《中國(guó)日?qǐng)?bào)網(wǎng)》報(bào)道:美國(guó)OakRidge國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研究人員意外發(fā)現(xiàn)了用Cu-Si-C作催化劑,在電催化下CO
2與水可直接轉(zhuǎn)化為C
2H
5OH和O
2?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)銅原子核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1)
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1)
,有
1
1
個(gè)未成對(duì)電子。
(2)Cu、Si、C的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
C>Si>Cu
C>Si>Cu
。
(3)C
2H
5OH與二甲醚(CH
3OCH
3)摩爾質(zhì)量相同,但C
2H
5OH的沸點(diǎn)高于CH
3OCH
3,其原因是
C2H5OH與CH3OCH3均為分子晶體,C2H5OH分子間能形成氫鍵,而CH3OCH3分子間不能形成氫鍵
C2H5OH與CH3OCH3均為分子晶體,C2H5OH分子間能形成氫鍵,而CH3OCH3分子間不能形成氫鍵
。
(4)CO
2的空間構(gòu)型為
直線型
直線型
,其中C的雜化方式為
sp
sp
。
(5)比較下列硅的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因:
SiCl4、SiBr4、SiI4的熔、沸點(diǎn)依次增高,原因是三者均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)
SiCl4、SiBr4、SiI4的熔、沸點(diǎn)依次增高,原因是三者均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)
。
硅的鹵化物 |
SiCl4 |
SiBr4 |
SiI4 |
熔點(diǎn)/℃ |
-70 |
5.4 |
120.5 |
沸點(diǎn)/℃ |
57.6 |
154 |
287.5 |
(6)如圖為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其化學(xué)式為
。
(7)Cu
2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),該晶胞中有
16
16
個(gè)銅原子,若晶胞參數(shù)為a=0.427nm,則該晶體的密度為
g?cm
-3(列出計(jì)算式即可)。