氮化鎵(CaN)、碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料。
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
。Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序為
Ga<O<N
Ga<O<N
。
(2)GaCl
3的熔點為77.9°C,氣體在270°C左右以二聚物存在,CaF
3的熔點為1000°C;GaCl
3的熔點低于GaF
3的原因為
GaCl3為分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,GaF3為離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵強于分子間作用力,所以GaCl3的熔點低于GaF3
GaCl3為分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,GaF3為離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵強于分子間作用力,所以GaCl3的熔點低于GaF3
。
(3)GaCl
3?xNH
3(x=3,4,5,6)是一系列化合物,向含1molCaCl
3?xNH
3的溶液中加入足量AgNO
3溶液,有難溶于稀硝酸的白色沉淀生成;過濾后,充分加熱濾液,有4mol氨氣逸出,且又有上述沉淀生成,兩次沉淀的物質(zhì)的量之比為1:2。
①NH
3的VSEPR模型名稱為
四面體形
四面體形
;
②能準確表示GaCl
3?xNH
3結(jié)構(gòu)的化學式為
[Ga(NH3)4Cl2]Cl
[Ga(NH3)4Cl2]Cl
。
(4)與鎵同主族的硼(B)具有缺電子性,硼砂(四硼酸鈉Na
2B
4O
7?10H
2O)中B
4O
72-是由.兩個H
3BO
3和兩個[B(OH)
4]
-縮合而成的雙六元環(huán),應(yīng)寫成[B
4O
3(OH)
4]
2-的形式,結(jié)構(gòu)如圖1所示,則該離子中存在的作用力含有
BE
BE
(填序號),B原子的雜化方式為
sp2、sp3
sp2、sp3
。
A.離子鍵
B.極性鍵
C.氫鍵
D.范德華力
E.配位鍵
(5)氮化鎵的晶胞如圖2所示,Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N
A,晶胞密度為cg/cm
3,則該晶胞的空間利用率為
(已知空間利用率為晶胞內(nèi)原子體積占晶胞體積的百分比)。