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金屬和非金屬分界線附近的元素(如Ga、Ge、As),可用于制造半導體材料,是科學研究的熱點。試回答下列問題。
(1)鍺(Ge)是一種重要的半導體材料,寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式:
4s24p2
4s24p2
。
(2)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結構如圖所示。
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①EMIM+中各元素的電負性從小到大的順序是:
N>C>H
N>C>H
(用元素符號表示)。
[
A
l
C
l
4
]
-
的空間結構為
正四面體形
正四面體形

(3)鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其鹵化物的熔點如下表:
GaF3 GaCl3 GaBr3
熔點/℃ >1000 77.75 122.3
GaF3的熔點比GaCl3的高很多的原因是
GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體
GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體
。
(4)GaAs是一種人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與金剛石相似,如圖所示,若該立方晶胞參數為anm。
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①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數為
4
4
。
②已知阿伏加德羅常數的值為NA,GaAs的式量為Mr,則GaAs晶體的密度為
4
M
r
N
A
a
3
×1021
4
M
r
N
A
a
3
×1021
g?cm-3(列計算式)。

【答案】4s24p2;N>C>H;正四面體形;GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體;4;
4
M
r
N
A
a
3
×1021
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有,未經書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/5/25 8:0:9組卷:38引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.生活、實驗室中接觸的很多物質含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
    菁優(yōu)網
    (1)①Na2[Fe(CN)5(NO)]中中心離子的未成對電子數為
     
    個.(寫具體數字)
    ②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
     
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    (2)石墨的結構如圖1所示.若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質中的每一層都剝離出來彼此緊密連接,其總面積約為
     
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    cm.

    發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5
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    發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8
  • 3.有關晶體的結構如圖所示,下列說法中錯誤的是( ?。?br />菁優(yōu)網

    發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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