金屬和非金屬分界線附近的元素（如Ga、Ge、As），可用于制造半導體材料，是科學研究的熱點。試回答下列問題。
（1）鍺（Ge）是一種重要的半導體材料，寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式：

4s²4p²

4s²4p²

。
（2）利用離子液體[EMIM][AlCl₄]可電沉積還原金屬Ge。EMIM⁺結(jié)構(gòu)如圖所示。

①EMIM⁺中各元素的電負性從小到大的順序是：

N＞C＞H

N＞C＞H

（用元素符號表示）。
②

[

A

l

C

l

4

]

-

的空間結(jié)構(gòu)為

正四面體形

正四面體形

。
（3）鎵（Ga）位于元素周期表中第4周期第ⅢA族，其鹵化物的熔點如下表：

	GaF3	GaCl3	GaBr3
熔點/℃	＞1000	77.75	122.3

GaF₃的熔點比GaCl₃的高很多的原因是

GaF₃屬于離子晶體，GaCl₃屬于分子晶體

GaF₃屬于離子晶體，GaCl₃屬于分子晶體

。
（4）GaAs是一種人工合成的新型半導體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，如圖所示，若該立方晶胞參數(shù)為anm。

①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數(shù)為

4

4

。
②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，GaAs的式量為M_r，則GaAs晶體的密度為

4

M

r

N

A

a

3

×10²¹

4

M

r

N

A

a

3

×10²¹

g?cm^-3（列計算式）。