我國(guó)科學(xué)家研發(fā)的新型光學(xué)材料（Sn₇Br₁₀S₂）可替代傳統(tǒng)光學(xué)材料硫鎵銀（AgGaS₂）和磷鍺鋅（ZnGeP₂）。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)硫原子核外電子云輪廓圖呈紡錘形的能級(jí)上占據(jù)的電子總數(shù)為

10

10

。
（2）SF₆可用作高壓發(fā)電系統(tǒng)的絕緣氣體，其分子呈正八面體結(jié)構(gòu)，如圖1所示。

①SF₆是

非極性

非極性

（填“極性”或“非極性”）分子。
②1molSF₆分子中含

6

6

molσ鍵。
（3）HF的極性比HBr的強(qiáng)，但是，HF是弱酸，HBr是強(qiáng)酸，其主要原因是

HF的H-F極性較強(qiáng)，帶負(fù)電的氟原子與帶正點(diǎn)的氫原子吸引力較大，導(dǎo)致氫原子無(wú)法電離

HF的H-F極性較強(qiáng)，帶負(fù)電的氟原子與帶正點(diǎn)的氫原子吸引力較大，導(dǎo)致氫原子無(wú)法電離

。
（4）Ga（CH₃）₃和NH₃在一定條件下可合成半導(dǎo)體材料GaN和CH₄。Ga（CH₃）₃分子中Ga原子和C原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是

平面三角形

平面三角形

，碳原子的雜化類型是

sp³

sp³

。
（5）四鹵化錫的熔點(diǎn)如下表所示：

物質(zhì)	SnF4	SnCl4	SnBr4	SnI4
熔點(diǎn)/°C	705	-33	31	144.5

它們?nèi)埸c(diǎn)遞變的主要原因是

SnF₄為離子晶體，熔沸點(diǎn)最高，SnCl₄、SnBr₄、SnI₄為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大，導(dǎo)致熔沸點(diǎn)依次升高

SnF₄為離子晶體，熔沸點(diǎn)最高，SnCl₄、SnBr₄、SnI₄為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大，導(dǎo)致熔沸點(diǎn)依次升高

。
（6）晶體鍺的結(jié)構(gòu)類似金剛石，晶胞如圖2所示。已知晶胞參數(shù)為xnm,N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值。

①鍺晶體晶胞中a、b間的距離為

3

4

x

3

4

x

nm。
②鍺晶體的密度為

8

×

73

N

A

×

（

x

×

10

-

7

）

3

8

×

73

N

A

×

（

x

×

10

-

7

）

3

g?cm^-3。