2021-2022學(xué)年“四省八?！备呷ㄉ希┢谥谢瘜W(xué)試卷
發(fā)布：2024/12/14 1:30:1
一、選擇題：本題共7小題，每小題6分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。
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1．化學(xué)與生產(chǎn)、生活息息相關(guān)。下列敘述不正確的是（ ?。?/h2>
組卷：4引用：1難度：0.6 -
2．已知NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：15引用：1難度：0.8 -
3．糠醛是重要的化工原料，其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列關(guān)于糠醛的敘述正確的是（ ）組卷：9引用：1難度：0.5 -
4．M、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，其中M、Z位于同一主族，Z的最高價(jià)含氧酸為強(qiáng)酸。M、Z的原子序數(shù)之和是X的2倍，Y的最外層電子數(shù)等于Z和X的最外層電子數(shù)之差。下列敘述正確的是（ ）
組卷：33引用：1難度：0.6
[化學(xué)——選修三：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
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11．氮化鎵（GaN）材料是第三代半導(dǎo)體的代表，通常以GaCl3為鎵源，NH3為氮源制備，具有出色的抗擊穿能力，能耐受更高的電子密度。
（1）基態(tài)Ga價(jià)電子排布圖為。
（2）Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序?yàn)?，NO3-的空間構(gòu)型為，與其互為等電子體的微粒有（任寫一種）
（3）GaCl3熔點(diǎn)為77.9℃，氣體在270℃左右以二聚物存在，GaF3熔點(diǎn)1000℃，GaCl3二聚體的結(jié)構(gòu)式為，其熔點(diǎn)低于GaF3的原因?yàn)?。
（4）與鎵同主族的B具有缺電子性，硼砂（四硼酸鈉Na2B4O7?10H2O）中B4O72-是由兩個(gè)H3BO3和兩個(gè)[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環(huán)，應(yīng)寫成[B4O5（OH）4]2-的形式，結(jié)構(gòu)如圖所示，則該離子存在的作用力有，B原子的雜化方式為。
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.范德華力
E.氫鍵
F.配位鍵
（5）氮化鎵的晶胞如圖所示，Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶胞密度為cg/cm3，則該晶胞的空間利用率為（已知空間利用率為晶胞內(nèi)原子體積占晶胞體積的百分比）。
組卷：12引用：1難度：0.5
二.[化學(xué)——選修五：有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)]
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12．化合物K是一種有機(jī)光電材料中間體。實(shí)驗(yàn)室由芳香化合物A制備K的一種合成路線如圖：
已知：①在同一個(gè)碳原子上連有兩個(gè)羥基不穩(wěn)定，易脫水形成羰基；
②RCHO+CH3CHORCH=CHCHO+H2O。NaOH/H2O
③
回答下列問題：
（1）B的分子式為；C中官能團(tuán)的名稱為。
（2）D→E第一步的化學(xué)反應(yīng)方程式為。
（3）F→G第一步的化學(xué)反應(yīng)方程式為。
（4）J的結(jié)構(gòu)簡式為。
（5）芳香化合物X是E的同分異構(gòu)體，X具有以下特點(diǎn)：①只有一個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)，②具有兩個(gè)相同的官能團(tuán)，③能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，X共有種（不考慮立體異構(gòu)）。其中核磁共振氫譜有四種不同化學(xué)環(huán)境的氫，且峰面積之比為3：2：2：1，寫出滿足條件的所有結(jié)構(gòu)（寫結(jié)構(gòu)簡式）。
（6）根據(jù)上述路線中的相關(guān)知識，以乙醇為原料用不超過三步的反應(yīng)設(shè)計(jì)合成1-丁醇（其他無機(jī)試劑任選）。組卷：22引用：4難度：0.5