氮化鎵（GaN）材料是第三代半導(dǎo)體的代表，通常以GaCl3為鎵源，NH3為氮源制備，具有出色的抗擊穿能力，能耐受更高的電子密度。
（1）基態(tài)Ga價(jià)電子排布圖為 
。
（2）Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序?yàn)?Ga＜O＜NGa＜O＜N，NO3-的空間構(gòu)型為 平面三角形平面三角形，與其互為等電子體的微粒有 CO32-或SO32-或BF3CO32-或SO32-或BF3（任寫(xiě)一種）
（3）GaCl3熔點(diǎn)為77.9℃，氣體在270℃左右以二聚物存在，GaF3熔點(diǎn)1000℃，GaCl3二聚體的結(jié)構(gòu)式為 
，其熔點(diǎn)低于GaF3的原因?yàn)?GaCl3為分子晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3GaCl3為分子晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3。
（4）與鎵同主族的B具有缺電子性，硼砂（四硼酸鈉Na2B4O7?10H2O）中B4O72-是由兩個(gè)H3BO3和兩個(gè)[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環(huán)，應(yīng)寫(xiě)成[B4O5（OH）4]2-的形式，結(jié)構(gòu)如圖所示，則該離子存在的作用力有 B、FB、F，B原子的雜化方式為 sp2、sp3sp2、sp3。
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.范德華力
E.氫鍵
F.配位鍵
（5）氮化鎵的晶胞如圖所示，Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶胞密度為cg/cm3，則該晶胞的空間利用率為 43π（a3+b3）×10-30cNA（70+14）×100%43π（a3+b3）×10-30cNA（70+14）×100%（已知空間利用率為晶胞內(nèi)原子體積占晶胞體積的百分比）。
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
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π
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a
3
+
b
3
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×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
【答案】；Ga＜O＜N；平面三角形；CO32-或SO32-或BF3；；GaCl3為分子晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3；B、F；sp2、sp3；×100%
；Ga＜O＜N；平面三角形；CO32-或SO32-或BF3；；GaCl3為分子晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3；B、F；sp2、sp3；4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：12引用：1難度：0.5
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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