2022-2023學(xué)年廣東省廣州市高二（下）期末化學(xué)試卷
發(fā)布：2024/8/12 0:0:0
一、單項(xiàng)選擇題：本題共16小題，共44分。第1～10小題，每小題2分；第11～16小題，
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1．中華文明源遠(yuǎn)流長(zhǎng)，在世界文明中獨(dú)樹一幟，漢字居功至偉。隨著時(shí)代發(fā)展，漢字被不斷賦予新的文化內(nèi)涵，其載體也發(fā)生相應(yīng)變化。下列漢字載體的主要成分為纖維素的是（ ）
漢字載體 
選項(xiàng) A.獸骨 B.青銅器 C.紙張 D.液晶顯示屏 組卷：15引用：1難度：0.7 -
2．下列化學(xué)用語(yǔ)正確的是（ ?。?/h2>
組卷：44引用：1難度：0.8 -
3．化學(xué)與生活息息相關(guān)。下列有關(guān)說法正確的是（ ）
組卷：17引用：2難度：0.7 -
4．下列軌道表示式能表示基態(tài)碳原子最外層結(jié)構(gòu)的是（ ?。?/h2>
組卷：55引用：1難度：0.5 -
5．如圖所示是第3周期11～17號(hào)元素某種性質(zhì)變化趨勢(shì)的柱形圖，y軸表示的可能是（ ）組卷：90引用：4難度：0.7 -
6．下列結(jié)構(gòu)示意圖中，不能表示晶胞的是（ ?。?/h2>
組卷：56引用：1難度：0.5
二、非選擇題：本題包括4小題，共56分。
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19．金屬和非金屬分界線附近的元素（如Ga、Ge、As），可用于制造半導(dǎo)體材料，是科學(xué)研究的熱點(diǎn)。試回答下列問題。
（1）鍺（Ge）是一種重要的半導(dǎo)體材料，寫出基態(tài)Ge原子的價(jià)層電子排布式：。
（2）利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結(jié)構(gòu)如圖所示。
①EMIM+中各元素的電負(fù)性從小到大的順序是：（用元素符號(hào)表示）。
②的空間結(jié)構(gòu)為[AlCl4]-。
（3）鎵（Ga）位于元素周期表中第4周期第ⅢA族，其鹵化物的熔點(diǎn)如下表：
GaF3的熔點(diǎn)比GaCl3的高很多的原因是GaF3 GaCl3 GaBr3 熔點(diǎn)/℃ ＞1000 77.75 122.3 。
（4）GaAs是一種人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，如圖所示，若該立方晶胞參數(shù)為anm。
①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個(gè)數(shù)為。
②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，GaAs的式量為Mr，則GaAs晶體的密度為g?cm-3（列計(jì)算式）。組卷：38引用：1難度：0.5 -
20．惕各酸及其酯類在香精配方中有廣泛用途。已知惕各酸香葉醇酯的結(jié)構(gòu)如圖所示：
惕各酸和香葉醇的合成方法如圖所示：
已知：R-COOHR-CH2OH。LiAlH4/醚
（1）化合物Ⅰ的分子式為，化合物Ⅲ含有的官能團(tuán)有 （寫名稱）。
（2）反應(yīng)①和反應(yīng)②的反應(yīng)類型分別是、。
（3）反應(yīng)③是原子利用率100%的反應(yīng)，該反應(yīng)中加入的化合物a是（寫化學(xué)式）。
（4）寫出反應(yīng)④的化學(xué)方程式：。
（5）化合物Ⅲ有多種同分異構(gòu)體，寫出同時(shí)滿足下列條件的一種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式：。
①能水解且能發(fā)生銀鏡反應(yīng)
②能與Na反應(yīng)
③核磁共振氫譜顯示四組峰，且峰面積比為6：2：1：1
（6）選用惕各酸的一種同系物作為唯一的含氧有機(jī)原料，參考上述信息，制備高分子化合物
的單體，寫出該單體的合成路線 （不需注明反應(yīng)條件）。組卷：40引用：1難度：0.3