2022-2023學年廣東省廣州市越秀區(qū)執(zhí)信中學高二（下）期末物理試卷

一、單項選擇題（本題共7小題，每小題4分，共28分．每小題只有一個選項符合題目要求．）

• 1．對于以下各圖的說明，正確的是（　?。?br />

  A．甲圖為油膜法估算分子直徑的實驗圖，為了減小誤差，實驗中應使用純油酸

  B．乙圖為模擬氣體壓強產(chǎn)生機理實驗圖，說明氣體壓強是由氣體分子對器壁頻繁碰撞產(chǎn)生的

  C．丙圖是把毛細管插入水銀中的實驗現(xiàn)象，說明水銀對玻璃是浸潤液體

  D．圖丁為立體電影的圖片，其原理和照相機鏡頭表面涂上增透膜的原理是相同的
  組卷：79引用：2難度：0.6

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• 2．下列四幅圖涉及到不同的物理知識，其中說法正確的是（　?。?br />

  A．圖1是電子衍射實驗，電子的衍射說明了電子具有粒子性，說明物質波理論是正確的

  B．圖2是α粒子散射實驗示意圖，由α粒子散射實驗可估算原子核半徑的數(shù)量級

  C．圖3是研究某種金屬的光電效應規(guī)律所得相關圖像，由圖可知，入射光2的頻率大于入射光1的頻率

  D．圖4放射源能放出α、β、γ三種射線，兩塊平行放置的金屬板A、B分別與電源的兩極連接。到達B板的射線電離本領最強，可以用于治療腫瘤
  組卷：95引用：2難度：0.5

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• 3．下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．研制核武器的钚239（ 239 94 Pu）是由鈾239（ 239 92 U）經(jīng)過2次β衰變而產(chǎn)生

  B．太陽輻射能量的主要來源是太陽中發(fā)生的重核裂變

  C．20g的 235 92 U經(jīng)過兩個半衰期后，質量變?yōu)?5g

  D． 238 92 U在中子轟擊下，生成Sr和Xe的核反應前后，原子核的核子總數(shù)減少
  組卷：101引用：4難度：0.5

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• 4．如圖所示，房頂上固定一根長2m的細線沿豎直墻壁垂到窗沿下，細線下端系了一個小球（可視為質點）。打開窗子，讓小球在垂直于窗子的豎直平面內(nèi)小幅度擺動，A點是小球擺動的最左端，B點是小球擺動的最右端，O點是小球擺動的平衡位置。不計空氣阻力，小球從A點到O點所用的最短時間為t_AO，小球從B點到所O點所用的最短時間為t_BO，

  t

  AO

  =

  1

  2

  t

  BO

  ，窗上沿到房頂?shù)母叨葹椋ā　。?/h2>

  A．1.6m

  B．1.5m

  C．1.2m

  D．1.4m
  組卷：151引用：2難度：0.7

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• 5．為營造公平公正的高考環(huán)境，“反作弊”工具金屬探測儀被廣為使用。某興趣小組設計了一款金屬探測儀，如圖所示，探測儀內(nèi)部的線圈與電容器構成LC振蕩電路，當探測儀檢測到金屬物體時，探測儀的蜂鳴器發(fā)出聲響。已知某時刻，探測儀中電路里的電流的方向由b流向a,且電流強度正在增加過程中，則（　　）

  A．該時刻電容器上極板帶正電荷

  B．探測儀靠近金屬時，金屬被磁化

  C．該時刻線圈的自感電動勢正在增大

  D．若探測儀與金屬保持相對靜止，則金屬中不會產(chǎn)生感應電流
  組卷：45引用：2難度：0.6

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四、計算題（3小題，共39分．解答應寫出必要的文字說明．方程式和重要的演算步驟．只寫出最后答案的不能得分．有數(shù)值計算的題，答案中必須明確寫出數(shù)值和單位．）

• 14．如圖，間距為L的兩平行金屬導軌右端接有電阻R，固定在離地高為H的平面上，空間存在著方向豎直向下、磁感應強度大小為B的勻強磁場。質量為m的金屬桿ab垂直導軌放置，桿獲得一個大小為v₀的水平初速度后向左運動并離開導軌，其落地點距導軌左端的水平距離為s。已知重力加速度為g,忽略一切摩擦，桿和導軌電阻不計。求：
  （1）桿即將離開軌道時的加速度大小a；
  （2）桿穿過勻強磁場的過程中，克服安培力做的功W，以及流過電阻的電荷量q。
  組卷：51引用：2難度：0.5

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• 15．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強磁場的磁感應強度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強電場場強大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長為2L，寬為

  （

  4

  -

  2

  3

  ）

  L

  ．其寬和長中心位置C和D處各有一個小孔；半徑為L的圓形偏轉系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應強度大小可調(diào)的勻強磁場，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉系統(tǒng)的直徑，最低點M到硅片的距離MN=

  L

  2

  ，不計離子重力。
  
  （1）求離子通過速度選擇器后的速度大小；
  （2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；
  （3）若偏轉系統(tǒng)磁感應強度大小的取值范圍

  2

  3

  3

  B

  ≤

  B

  偏

  ≤

  3

  B，求硅片上離子注入的寬度．
  組卷：409引用：5難度：0.2

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