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在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序.如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖,離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,選擇出一定速度的離子,然后通過磁分析器Ⅰ,選擇出特定比荷的離子,經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上.速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向均垂直紙面向外;速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E,方向豎直向上.磁分析器截面是矩形,矩形長(zhǎng)為2L,寬為
4
-
2
3
L
.其寬和長(zhǎng)中心位置C和D處各有一個(gè)小孔;半徑為L(zhǎng)的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場(chǎng),D、M、N在一條豎直線上,DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑,最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=
L
2
,不計(jì)離子重力。
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(1)求離子通過速度選擇器后的速度大小;
(2)求磁分析器選擇出來的離子的比荷;
(3)若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍
2
3
3
B
B
3
B,求硅片上離子注入的寬度.

【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:409引用:5難度:0.2
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    發(fā)布:2024/12/2 1:30:1組卷:1460引用:19難度:0.6
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