2022年福建省福州三中高考物理質(zhì)檢試卷(八)
發(fā)布:2024/11/17 17:0:2
一、單項選擇題(本題共4小題,每小題4分,共16分。在每小題給出的四個選項中,只有一項符合題目要求。)
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1.關(guān)于近代物理的知識,下列說法正確的是( ?。?/h2>
組卷:184引用:6難度:0.6 -
2.有關(guān)圓周運動的基本模型,下列說法正確的是( )
組卷:88引用:4難度:0.7 -
3.如圖所示,a、b、c、d為一矩形的四個頂點,一勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度方向與該矩形平行.已知a、b、c三點的電勢分別為0.1V、0.4V,0.7V。ab的長為6cm,bc的長為8cm,下列說法正確的是( )
組卷:241引用:2難度:0.5 -
4.在X星球表面,宇航員做了一個實驗:如圖甲所示,輕桿一端固定在0點,另一端固定一小球,現(xiàn)讓小球在豎直平面內(nèi)做半徑為R的圓周運動。小球運動到最高點時,受到的彈力為F,速度大小為v,其F-v2圖象如圖乙所示。已知X星球的半徑為Ro,萬有引力常量為G,不考慮星球自轉(zhuǎn)。則下列說法正確的是( ?。?/h2>
組卷:440引用:7難度:0.5
二、多項選擇題(本題共4小題,每小題全部選對的得6分,選對但選不全的得3分,有選錯的得0分,共24分)
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5.如圖,兩位同學(xué)同時在等高處拋出手中的籃球A、B,A以速度v1斜向上拋出,B以速度v2豎直向上拋出,當(dāng)A到達(dá)最高點時恰與B相遇,不計空氣阻力,A、B質(zhì)量相等且均可視為質(zhì)點,重力加速度為g,以下判斷正確的是( )
組卷:125引用:11難度:0.6
二、非客觀題(60分)
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14.2021年6月我國芯片進(jìn)口總額達(dá)到380億美元,這是為了滿足在智能手機(jī)、汽車、電腦、家用電器的巨大需求.物理氣相沉積是在真空條件下,通過低壓氣體或等離子體,采用物理方法將氣化的材料沉積到基體表面形成薄膜的技術(shù).該技術(shù)是芯片制作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一,如圖是該設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)簡圖.初速度不計的氬離子經(jīng)電壓U0的電場加速后,從A點以大小為v0=105m/s的速度水平向右進(jìn)入豎直向下的勻強(qiáng)電場E,恰好打到電場、磁場的豎直分界線Ⅰ最下方M點(未進(jìn)入磁場)并被位于該處的金屬靶材全部吸收,AM兩點的高度差為0.5m。靶材濺射出的部分金屬離子沿各個方向進(jìn)入兩勻強(qiáng)磁場區(qū)域,并沉積在固定基底上,基底與水平方向夾角為45°,大小相等、方向相反(均垂直紙面)的兩磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,分界線Ⅱ過M點且與基底垂直。(已知U0=
V,E=2512×103V/m,B=1×10-2T,金屬離子比荷53×104C/kg,兩種離子均帶正電,忽略重力及離子間相互作用力)求:q2m2=2.0×106
(1)氬離子的比荷;q1m1
(2)AM兩點的水平距離;
(3)若金屬離子進(jìn)入磁場的速度大小均為1.0×104m/s,M點到基底的距離為m,求在紙面內(nèi),基底上可被金屬離子打中而鍍膜的區(qū)域長度。(計算結(jié)果保留根式)24組卷:88引用:1難度:0.4 -
15.如圖所示,放在水平面上的光滑金屬導(dǎo)軌由間距不同的左右兩半組成,右半邊導(dǎo)軌間距為D,左半邊導(dǎo)軌間距為2D;兩半分別向兩邊延伸足夠長;兩半中間導(dǎo)通,并接入一個電容為C的電容器,如圖所示(俯視圖);電容器已充電至電壓為U0,上極板帶正電;左半邊導(dǎo)軌區(qū)域有豎直向上的磁場,右半邊導(dǎo)軌區(qū)域有豎直向下的磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均恒為B,磁場區(qū)域范圍足夠大;兩邊導(dǎo)軌上各搭著一根完全相同的金屬棒P和Q,質(zhì)量均為m,垂直導(dǎo)軌放置,與導(dǎo)軌接觸良好,速度均為0.閉合開關(guān)后,經(jīng)過足夠長時間,裝置達(dá)到穩(wěn)定。求:
(1)穩(wěn)定時左右兩棒的速率之比;
(2)全過程流過兩棒的電荷量大小之比;
(3)穩(wěn)定后電容器兩端的電壓;
(4)全過程電容器釋放出的電能。組卷:155引用:1難度:0.4