2021年6月我國芯片進(jìn)口總額達(dá)到380億美元，這是為了滿足在智能手機(jī)、汽車、電腦、家用電器的巨大需求.物理氣相沉積是在真空條件下，通過低壓氣體或等離子體，采用物理方法將氣化的材料沉積到基體表面形成薄膜的技術(shù).該技術(shù)是芯片制作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，如圖是該設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)簡圖.初速度不計的氬離子經(jīng)電壓U0的電場加速后，從A點(diǎn)以大小為v0=105m/s的速度水平向右進(jìn)入豎直向下的勻強(qiáng)電場E，恰好打到電場、磁場的豎直分界線Ⅰ最下方M點(diǎn)（未進(jìn)入磁場）并被位于該處的金屬靶材全部吸收，AM兩點(diǎn)的高度差為0.5m。靶材濺射出的部分金屬離子沿各個方向進(jìn)入兩勻強(qiáng)磁場區(qū)域，并沉積在固定基底上，基底與水平方向夾角為45°，大小相等、方向相反（均垂直紙面）的兩磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B，分界線Ⅱ過M點(diǎn)且與基底垂直。（已知U0=2512×103V，E=53×104V/m,B=1×10-2T，金屬離子比荷q2m2=2.0×106C/kg,兩種離子均帶正電，忽略重力及離子間相互作用力）求：
（1）氬離子的比荷q1m1；
（2）AM兩點(diǎn)的水平距離；
（3）若金屬離子進(jìn)入磁場的速度大小均為1.0×104m/s,M點(diǎn)到基底的距離為24m,求在紙面內(nèi)，基底上可被金屬離子打中而鍍膜的區(qū)域長度。（計算結(jié)果保留根式）
25
12
×
10
3
5
3
×
10
4
q
2
m
2
=
2
.
0
×
10
6
q
1
m
1
2
4
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：88引用：1難度：0.4
相似題
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1．如圖1所示，在xOy坐標(biāo)系中，兩平行極板P、Q垂直于y軸且關(guān)于x軸對稱，極板長度和板間距均為l,緊靠極板的右邊緣的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域由ΔAB0和矩形0BCD構(gòu)成，其中∠OAB=60°，OD=OA．磁場方向垂直于xOy平面向里，D、A位于y軸上。位于極板左側(cè)的粒子源沿x軸向右接連發(fā)射質(zhì)量為m,電荷量為+q、速度相同的帶電粒子，現(xiàn)在0～3t0時間內(nèi)兩板間加上如圖2所示的電壓，已知t=0時刻進(jìn)入兩板間的粒子，在t0時刻射入磁場時，恰好不會從磁場邊界射出磁場區(qū)域且圓心在x軸上，上述l、m、q、t0為已知量，U0=
，不考慮P、Q兩板電壓的變化對磁場的影響，也不考慮粒子的重力及粒子間的相互影響，求：ml2qt02
（1）t=0時刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子射入磁場時的速度；
（2）勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小及磁場區(qū)域的面積；
（3）t=t0時刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的時間。
發(fā)布：2024/12/30 0:0:1組卷：80引用：2難度：0.7 -
2．如圖，半徑為d的圓形區(qū)域內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，磁場垂直圓所在的平面。一帶電量為q、質(zhì)量為m的帶電粒子從圓周上a點(diǎn)對準(zhǔn)圓心O射入磁場，從b點(diǎn)折射出來，若α=60°，則帶電粒子射入磁場的速度大小為（ ?。?/h2>發(fā)布：2025/1/6 0:30:5組卷：272引用：2難度：0.6 -
3．如圖所示，三角形ABC內(nèi)有垂直于三角形平面向外的勻強(qiáng)磁場，AB邊長為L，∠CAB=30°，∠B=90°，D是AB邊的中點(diǎn)?，F(xiàn)在DB段上向磁場內(nèi)射入速度大小相同、方向平行于BC的同種粒子（不考慮粒子間的相互作用和粒子重力），若從D點(diǎn)射入的粒子恰好能垂直AC邊射出磁場，則AC邊上有粒子射出的區(qū)域長度為（ ?。?/h2>發(fā)布：2025/1/3 0:30:3組卷：300引用：1難度：0.5
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