2021年天津市高考物理模擬預(yù)測試卷（六）

一、選擇題（每小題5分，共25分。每小題給出的四個選項(xiàng)中，只有一個選項(xiàng)是正確的）

• 1．下列說法正確的是（　　）

  A．灌入熱水的水杯擰緊杯蓋放置一段時(shí)間后很難打開，是因?yàn)楸瓋?nèi)氣體壓強(qiáng)小于大氣壓強(qiáng)

  B．當(dāng)溫度升高時(shí)，氣體分子的動能都增大

  C．氣體的壓強(qiáng)是由于氣體受重力而產(chǎn)生的

  D．晶體一定沒有規(guī)則的幾何外形
  組卷：135引用：3難度：0.8

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• 2．下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．紅外體溫計(jì)是依據(jù)人體輻射的紅外線強(qiáng)度來測體溫的

  B．依據(jù)麥克斯韋的電磁場理論，變化的電場產(chǎn)生的磁場一定是變化的

  C．炎炎夏日，我們在樹下看到茂密的樹葉間有彩色的光環(huán)，這是全反射現(xiàn)象

  D．利用電磁波傳遞信號可以實(shí)現(xiàn)無線通信，但電磁波不能通過電纜、光纜傳輸
  組卷：191引用：2難度：0.8

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• 3．如圖所示，理想變壓器輸入電壓保持不變。若將滑動變阻器的滑動觸頭向下移動，下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．電表A1、A2的示數(shù)都增大

  B．電表V1、V2的示數(shù)都不變

  C．原線圈輸入功率減小

  D．電阻R0消耗的電功率減小
  組卷：592引用：11難度：0.8

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• 4．如圖所示，學(xué)生練習(xí)顛球。某一次足球靜止自由下落80cm,被重新頂起，離開頭部后豎直上升的最大高度仍為80cm。已知足球與頭部的作用時(shí)間為0.1s,足球的質(zhì)量為0.4kg,重力加速度g取10m/s²，不計(jì)空氣阻力，足球可視為質(zhì)點(diǎn)，下列說法正確的是（　　）

  A．足球剛接觸頭和剛離開頭時(shí)，速度不變

  B．足球下落到與頭部剛接觸時(shí)動量大小為3.2kg?m/s

  C．足球從最高點(diǎn)下落至重新回到最高點(diǎn)的過程中重力的沖量為零

  D．足球與頭部作用過程中，頭部對足球的平均作用力為足球重力的9倍
  組卷：252引用：4難度：0.6

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二．非選擇題（共60分）

• 12．如圖甲所示，兩根間距L=1.0m、電阻不計(jì)的足夠長平行金屬導(dǎo)軌ab、cd水平放置，一端與阻值R=2.0Ω的電阻相連。質(zhì)量m=0.2kg的導(dǎo)體棒ef在恒定外力F作用下由靜止開始運(yùn)動，已知導(dǎo)體棒與兩根導(dǎo)軌間的最大靜摩擦力和滑動摩擦力均為f=1.0N，導(dǎo)體棒電阻為r=1.0Ω，整個裝置處于垂直于導(dǎo)軌平面向上的勻強(qiáng)磁場B中，導(dǎo)體棒運(yùn)動過程中加速度a與速度v的關(guān)系如圖乙所示（取g=10m/s²）。求：
  
  （1）當(dāng)導(dǎo)體棒速度為v時(shí)，棒所受安培力F_安的大?。ㄓ妙}中字母表示）；
  （2）恒力F和磁感應(yīng)強(qiáng)度B分別為多大；
  （3）若ef棒由靜止開始運(yùn)動距離為s=6.9m時(shí)，速度已達(dá)v′=3m/s,求此過程中電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱Q_R。
  組卷：664引用：4難度：0.6

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• 13．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序，如圖甲所示是離子注入工作原理的示意圖，靜止于A處的離子，經(jīng)電壓為U的加速電場加速后，沿圖中圓弧虛線通過半徑為R₀的

  1

  4

  圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場）后，從P點(diǎn)沿豎直方向進(jìn)入半徑為r的圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域，該圓形磁場區(qū)域的直徑PQ與豎直方向成45°，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)，最后打在豎直放置的硅片上，離子的質(zhì)量為m、電荷量為q,不計(jì)離子重力。求：
  
  （1）離子進(jìn)入圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域時(shí)的速度大小v；
  （2）靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場強(qiáng)度的大小E₀；
  （3）若磁場方向垂直紙面向外，離子從磁場邊緣上某點(diǎn)出磁場時(shí)，速度方向與直徑PQ垂直，求圓形區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₀的大小；
  （4）若在該圓形區(qū)域內(nèi)加如圖乙所示交變的磁場（圖中B₁大小未知、方向垂直紙面，且以垂直于紙面向外為正方向），當(dāng)離子從t=0時(shí)進(jìn)入圓形磁場區(qū)域時(shí)，最后從Q點(diǎn)飛出，水平向右垂直打在硅片上，請寫出磁場變化周期T滿足的關(guān)系表達(dá)式。
  組卷：254引用：9難度：0.6

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