以Cu2O、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢?;卮饐栴}:
(1)基態(tài)O原子的電子排布式 1s22s22p41s22s22p4,其中未成對電子有 22個。
(2)酞菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價值。酞菁分子結(jié)構(gòu)如圖1,分子中所有原子共平面,所有N原子的雜化軌道類型相同,均采取 sp2sp2雜化。
鄰苯二甲酸酐()和鄰苯二甲酰亞胺()都是合成酞菁的原料,后者熔點高于前者,主要原因是 兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點更高兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點更高。
(3)金屬Zn能溶于氨水,生成以氨為配體,配位數(shù)為4的配離子。Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為 Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++H2↑+2OH-Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++H2↑+2OH-。
(4)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能。Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是 O的電負(fù)性比N大,即Zn-O的極性比Zn-N的極性大,離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高O的電負(fù)性比N大,即Zn-O的極性比Zn-N的極性大,離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高。
(5)圖2為某ZnO晶胞示意圖,圖3是若干晶胞無限并置而成的底面O原子排列局部平面圖。abcd為所取晶胞的下底面,為銳角等于60°的菱形。以此為參考,用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個晶胞的底面 ?cdhi?cdhi、?bcfe?bcfe。
【答案】1s22s22p4;2;sp2;兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點更高;Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++H2↑+2OH-;O的電負(fù)性比N大,即Zn-O的極性比Zn-N的極性大,離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高;?cdhi;?bcfe
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/8/3 8:0:9組卷:16引用:3難度:0.5
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
(5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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