硅烷SiH4可用于制造高純硅。采用硅化鎂法制備SiH4的化學方程式:Mg2Si+4NH4Cl+8NH3=SiH4+2MgCl2?6NH3
(1)硅在元素周期表中的位置是
第三周期,第ⅣA族
第三周期,第ⅣA族
,硅原子電子排布式為 1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
。
(2)①SiH4的電子式是 。
②SiH4的沸點比CH4的 高
高
(填“高”或“低”),原因是 二者結(jié)構(gòu)相似,SiH4的相對分子質(zhì)量較大,分子間作用力強,則SiH4的沸點比CH4的高
二者結(jié)構(gòu)相似,SiH4的相對分子質(zhì)量較大,分子間作用力強,則SiH4的沸點比CH4的高
。
(3)晶體SiO2屬于 原子
原子
晶體(填晶體類型),一種SiO2晶體的結(jié)構(gòu)中有頂角相連的硅氧四面體形成螺旋上升的長鏈(如圖1)。其中Si原子的雜化軌道類型是 sp3
sp3
。
(4)硅化鎂晶體的晶胞示意圖如圖2,則其化學式為 Mg2Si
Mg2Si
。已知該晶胞邊長為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,摩爾質(zhì)量為M,則該晶體的密度為 g/cm3。