19.摻雜了硒(Se)、碲(Te) 固溶物的Ag
2S是一種具有良好塑性和熱電性能的柔性半導(dǎo)體材料,該材料能用于可穿戴式、植入式電子設(shè)備的制備。
回答下列問(wèn)題:
(1)Ag的核外電子排布式是[Kr]4d
105s
1,則Ag在元素周期表中的位置是
。下列屬于基態(tài)Ag
+的電子排布式的是
(填標(biāo)號(hào))。
A.[Kr]4d
95s
2B.[Kr]4d
l0C.[Kr]4d
95s
1(2)S、As、Se、Br在元素周期表中的位置關(guān)系如圖所示,則As、Se、Br的第一電離能由大到小的順序?yàn)?
,
的空間構(gòu)型為
。
(3)金屬Ge也是一種良好的半導(dǎo)體,利用離子液體[EMIM][AlCl
4]可電沉積還原金屬Ge,該離子液體的熔點(diǎn)只有7°C,其中EMIM
+結(jié)構(gòu)如圖所示。
①EMIM
+中C原子的雜化類型是
。
②EMIM
+中σ鍵數(shù):π鍵數(shù)=
。
③該離子液體的熔點(diǎn)比較低的原因是
。
(4)ZnS的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
①ZnS晶體中,與S
2-距離最近且等距的Zn
2+的個(gè)數(shù)是
。
②ZnS的晶胞邊長(zhǎng)為a pm,則晶體的密度為
g?cm
-3 (用含a、N
A的代數(shù)式表示,N
A為阿伏加德羅常數(shù)的值)。