2023年海南省海口市龍華區(qū)海南華僑中學(xué)高考物理四模試卷

一、單選題

• 1．在很多礦物質(zhì)中，都不同程度地含有放射性元素，下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．α射線、β射線和γ射線都是電磁波

  B．在α、β、γ三種射線中，γ射線的穿透能力最強(qiáng)

  C．放射性元素發(fā)生β衰變時(shí)所釋放的電子是原子核外的電子

  D．氡的半衰期為3.8天，礦物中氡原子核經(jīng)過(guò)7.6天后全部消失
  組卷：78引用：3難度：0.9

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• 2．2022年11月20日，中國(guó)無(wú)人機(jī)閃耀足球世界杯開(kāi)幕式。其中兩架無(wú)人機(jī)a、b同時(shí)從同一地點(diǎn)豎直向上直線飛行，v-t圖像如圖所示。下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．t=20s時(shí)，無(wú)人機(jī)b在a的上方

  B．10s～30s,無(wú)人機(jī)a處于超重狀態(tài)

  C．t=15s時(shí)，兩架無(wú)人機(jī)a、b處在同一高度

  D．0～30s,兩架無(wú)人機(jī)a、b的平均速度相等
  組卷：270引用：3難度：0.6

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• 3．紅、黃、藍(lán)三束單色光，在某介質(zhì)內(nèi)以相同的入射角射入真空中，下列說(shuō)法中正確的是（　　）

  A．在該介質(zhì)中傳播時(shí)藍(lán)光速度最大

  B．光從該介質(zhì)射入真空時(shí)藍(lán)光偏折角最大

  C．若藍(lán)光發(fā)生了全反射，則紅光、黃光也一定發(fā)生了全反射

  D．若三種色光分別用同一個(gè)裝置進(jìn)行雙縫干涉，藍(lán)光干涉條紋間距最大
  組卷：45引用：5難度：0.9

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• 4．三個(gè)相同的建筑管材（可看作圓柱體）靜止疊放于水平地面上，其截面示意圖如圖所示，每個(gè)管材的質(zhì)量均為m。各管材間接觸，設(shè)管材間光滑、管材與地面間粗糙。對(duì)此下列說(shuō)法中正確的是（　?。?/h2>

  A．管材與地面接觸處的壓力大小為 3 3 mg

  B．上下管材接觸處的壓力大小為 3 3 mg

  C．管材與地面接觸處沒(méi)有摩擦力

  D．下方兩管材之間一定有彈力
  組卷：554引用：4難度：0.5

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• 5．如圖所示，質(zhì)量為m的物體在水平傳送帶上由靜止釋放，傳送帶由電動(dòng)機(jī)帶動(dòng)，始終保持以速度v勻速運(yùn)動(dòng)，物體與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，物體過(guò)一會(huì)兒能保持與傳送帶相對(duì)靜止，對(duì)于物體從靜止釋放到相對(duì)靜止這一過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．摩擦力對(duì)物體做的功為mv2

  B．電動(dòng)機(jī)多做的功為 1 2 m v 2

  C．系統(tǒng)產(chǎn)生的內(nèi)能為 1 2 m v 2

  D．傳送帶克服摩擦力做的功為 1 2 m v 2
  組卷：257引用：2難度：0.5

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• 6．如圖所示，某同學(xué)從相同高度的A、B兩位置先后拋出同一籃球，恰好都垂直撞擊在籃板同一位置C，忽略空氣阻力，下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．籃球從A、B兩位置拋出時(shí)的速度大小相等

  B．籃球從A位置拋出到撞擊籃板的時(shí)間大于從B位置拋出到撞擊籃板的時(shí)間

  C．籃球從A位置拋出時(shí)的水平分速度小于從B位置拋出時(shí)的水平分速度

  D．籃球兩次從拋出到撞擊籃板的過(guò)程中重力做功的平均功率相等
  組卷：81引用：2難度：0.6

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五、解答題

• 18．如圖所示，質(zhì)量為m₁=3kg的二分之一光滑圓弧形軌道ABC及一質(zhì)量為m₂=1kg的物塊P緊靠著（不粘連）靜置于光滑水平面上，B為半圓軌道的最低點(diǎn)，AC為軌道的水平直徑，軌道半徑R=0.3m。一質(zhì)量為m₃=2kg的小球（可視為質(zhì)點(diǎn)）從圓弧軌道的A處由靜止釋放，g取10m/s²，求：
  （1）小球第一次滑到B點(diǎn)時(shí)的速度v₁
  （2）求B對(duì)P的沖量；
  （3）小球第一次經(jīng)過(guò)B點(diǎn)后，相對(duì)B能上升的最大高度h。
  
  
  組卷：222引用：2難度：0.4

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• 19．在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過(guò)磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長(zhǎng)為2L，寬為

  （

  4

  -

  2

  3

  ）

  L

  ．其寬和長(zhǎng)中心位置C和D處各有一個(gè)小孔；半徑為L(zhǎng)的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=

  L

  2

  ，不計(jì)離子重力。
  
  （1）求離子通過(guò)速度選擇器后的速度大?。?br />（2）求磁分析器選擇出來(lái)的離子的比荷；
  （3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍

  2

  3

  3

  B

  ≤

  B

  偏

  ≤

  3

  B，求硅片上離子注入的寬度．
  組卷：413引用：5難度：0.2

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