2013-2014學(xué)年吉林省吉林一中高一(上)過關(guān)檢測化學(xué)試卷(9)
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
一、單項選擇
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1.下列敘述不正確的是( )
組卷:4引用:3難度:0.9 -
2.四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiCl4+2H2
4HCl+Si下列說法不合理的是( ?。?/h2>高溫組卷:15引用:4難度:0.7 -
3.高溫下,將SiO2加入下列物質(zhì)的熔融體中,此時發(fā)生反應(yīng)能放出氣體的是( ?。?/h2>
組卷:16引用:1難度:0.9 -
4.制造太陽能電池需要高純度的硅.工業(yè)上由粗硅制高純度硅可通過以下反應(yīng)實現(xiàn):
①Si+3HClSiHCl3+H2300℃
②SiHCl3+H2Si+3HCl950℃
下列有關(guān)敘述錯誤的是( ?。?/h2>組卷:18引用:1難度:0.7 -
5.下列試劑可用帶磨口玻璃塞的玻璃試劑瓶保存的是( )
組卷:26引用:5難度:0.9
五、填空實驗題
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16.已知高溫下能發(fā)生如下反應(yīng)SiO2+2C
Si+2CO↑,Si+C高溫SiC,現(xiàn)有石英砂和碳粉的混合物1mol,在高溫電爐中隔絕空氣充分反應(yīng)完全后,冷卻得到殘留固體.若石英砂與混合物的物質(zhì)的量之比為x(0<x<1),試討論x的取值范圍,殘留固體的成分和物質(zhì)的量,并將結(jié)果填入下表:高溫編號 ① ② ③ ④ ⑤ x值 x= 13殘留固體及
物質(zhì)的量Si mol13組卷:15引用:1難度:0.1 -
17.請回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式:
②整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩.寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋組卷:31引用:3難度:0.3