2021-2022學(xué)年江蘇省蘇州大學(xué)附中高二（下）期中物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題：本題共10小題，每小題4分，共計(jì)40分，每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意.

• 1．近年來，霧霾天氣在我國頻繁出現(xiàn)，空氣質(zhì)量問題引起全社會高度關(guān)注。其中主要污染物是大氣中直徑小于或等于2.5μm的顆粒物即PM2.5（該顆粒肉眼不可見，僅能在顯微鏡下觀察到），也稱為可入肺顆粒物。以下對該顆粒的說法中正確的是（　?。?/h2>

  A．在無風(fēng)的時(shí)候，顆粒懸浮在空中靜止不動(dòng)

  B．該顆粒的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)是由空氣分子從各個(gè)方向?qū)︻w粒撞擊作用的不平衡引起的

  C．該顆粒的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)是布朗運(yùn)動(dòng)，且顆粒越大，運(yùn)動(dòng)越明顯

  D．該顆粒的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)反映了顆粒中分子的無規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)
  組卷：106引用：1難度：0.8

  解析

• 2．常言道，萬物生長靠太陽，追根溯源，地球上消耗的能量絕大部分是來自太陽內(nèi)部持續(xù)不斷地發(fā)生核反應(yīng)釋放出的核能。在太陽內(nèi)部發(fā)生的某核反應(yīng)方程是4

  1

  1

  H→

  4

  2

  He+2X，下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．該核反應(yīng)屬于裂變反應(yīng)

  B．該核反應(yīng)過程有質(zhì)量虧損

  C．一個(gè) 4 2 He中有4個(gè)中子

  D．方程中的X為電子（ 0 - 1 e）
  組卷：83引用：2難度：0.8

  解析

• 3．由于分子間存在著分子力，而分子力做功與路徑無關(guān)，因此分子間存在與其相對距離有關(guān)的分子勢能。如圖所示為分子勢能E_P隨分子間距離r變化的圖象（取r趨近于無窮大時(shí)E_P為零）。通過該圖像得出有關(guān)分子間作用力的相關(guān)信息中，正確的是（　?。?/h2>

  A．圖中r1是分子間作用力為零

  B．假設(shè)將兩個(gè)分子從r=r2處釋放，它們將相互靠近

  C．當(dāng)分子間的距離自r=r2處增大時(shí)，分子間作用力先增大后減小

  D．當(dāng)分子間的距離r=r3時(shí)，分子間只有引力沒有斥力
  組卷：135引用：1難度：0.8

  解析

• 4．2021年12月9日，在“天宮課堂”中王亞平往水球中注入一個(gè)氣泡，如圖所示，氣泡靜止在水中，此時(shí)（　?。?/h2>

  A．水球呈球狀

  B．水與氣泡界面處，水分子間作用力表現(xiàn)為斥力

  C．氣泡中分子的平均動(dòng)能為0

  D．氣泡受到浮力
  組卷：72引用：3難度：0.8

  解析

• 5．關(guān)于分子動(dòng)理論，下列說法中正確的是（　?。?br />

  A．圖甲“用油膜法估測油酸分子的大小”實(shí)驗(yàn)中，應(yīng)先滴油酸酒精溶液，再撒痱子粉

  B．圖乙為水中某花粉顆粒每隔一定時(shí)間位置的折線圖，表明該花粉顆粒在每段時(shí)間內(nèi)做直線運(yùn)動(dòng)

  C．圖丁為大量氣體分子熱運(yùn)動(dòng)的速率分布圖，曲線②對應(yīng)的溫度較高

  D．圖丙為分子力F與其間距r的圖像，分子間距從r0開始增大時(shí)，分子力先變小后變大
  組卷：142引用：2難度：0.8

  解析

三、解答題：本題共4小題，共計(jì)45分，解答時(shí)請寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟，只寫出最后答案的不能得分.

• 14．如圖所示，光滑平行導(dǎo)軌水平固定，間距為L，其所在空間存在方向豎直向上，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場，導(dǎo)軌左側(cè)接有阻值為R的定值電阻，一導(dǎo)體棒垂直導(dǎo)軌放置，導(dǎo)體棒的有效電阻為r,質(zhì)量為m。導(dǎo)軌電阻忽略不計(jì)，導(dǎo)體棒運(yùn)動(dòng)中始終與導(dǎo)軌垂直且接觸良好?，F(xiàn)使導(dǎo)體棒獲得一水平向右的速度v₀，在導(dǎo)體棒向右運(yùn)動(dòng)過程中，求：
  （1）導(dǎo)體棒的最大加速度a；
  （2）全過程導(dǎo)體棒的發(fā)熱量Q_r；
  （3）全過程導(dǎo)體棒滑行的距離x及通過導(dǎo)體棒的電荷量為q。
  組卷：78引用：1難度：0.4

  解析

• 15．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序，如圖甲所示是離子注入工作原理的示意圖，靜止于A處的離子，經(jīng)電壓為U的加速電場加速后，沿圖中圓弧虛線通過半徑為R₀的

  1

  4

  圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場）后，從P點(diǎn)沿豎直方向進(jìn)入半徑為r的圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域，該圓形磁場區(qū)域的直徑PQ與豎直方向成45°，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)，最后打在豎直放置的硅片上，離子的質(zhì)量為m、電荷量為q,不計(jì)離子重力。求：
  
  （1）離子進(jìn)入圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域時(shí)的速度大小v；
  （2）靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場強(qiáng)度的大小E₀；
  （3）若磁場方向垂直紙面向外，離子從磁場邊緣上某點(diǎn)出磁場時(shí)，速度方向與直徑PQ垂直，求圓形區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₀的大??；
  （4）若在該圓形區(qū)域內(nèi)加如圖乙所示交變的磁場（圖中B₁大小未知、方向垂直紙面，且以垂直于紙面向外為正方向），當(dāng)離子從t=0時(shí)進(jìn)入圓形磁場區(qū)域時(shí)，最后從Q點(diǎn)飛出，水平向右垂直打在硅片上，請寫出磁場變化周期T滿足的關(guān)系表達(dá)式。
  組卷：260引用：9難度：0.6

  解析