2022年山東省濰坊市高考物理一模試卷
發(fā)布:2024/12/20 18:0:2
一、單項選擇題:本題共8小題,每小題3分,共24分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。
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1.已知
Th半衰期為1.2min,其衰變方程為23490Th→23490Pa+X+ΔE,X是某種粒子,ΔE為釋放的核能。真空中光速為c,用質(zhì)譜儀測得23491Th原子核質(zhì)量為m。下列說法正確的是( ?。?/h2>23490組卷:99引用:2難度:0.8 -
2.如圖甲所示為被稱作“雪游龍”的國家雪車雪橇中心,2022年北京冬奧會期間,該場館承擔(dān)雪車、鋼架雪車、雪橇三個項目的全部比賽。圖乙為運(yùn)動員從側(cè)壁冰面過“雪游龍”獨(dú)具特色的360°回旋彎道的場景,在某段滑行中運(yùn)動員沿傾斜側(cè)壁在水平面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動,則此段運(yùn)動過程中( )
組卷:70引用:1難度:0.6 -
3.如圖所示,分別用a、b兩束單色光照射陰極K均可產(chǎn)生光電流。調(diào)節(jié)滑片P,當(dāng)光電流恰好減小到零時,a、b對應(yīng)的電壓表示數(shù)分別為Ua、Ub,已知Ua<Ub,下列說法正確的是( )
組卷:116引用:1難度:0.6 -
4.如圖所示,圓柱形氣缸水平放置,活塞將氣缸分為左右兩個氣室,兩側(cè)氣室內(nèi)密封等質(zhì)量的氮?dú)狻,F(xiàn)通過接口K向左側(cè)氣室內(nèi)再充入一定質(zhì)量的氮?dú)?,活塞再次靜止時左右兩側(cè)氣室體積之比為3:1。氣缸導(dǎo)熱良好,外界溫度不變,活塞與氣缸間無摩擦,則從接口充入的氮?dú)馀c左側(cè)氣室內(nèi)原有氮?dú)獾馁|(zhì)量之比為( )
組卷:152引用:3難度:0.5 -
5.在水平面上固定一粗糙斜面,先讓一滑塊從斜面頂端由靜止下滑到底端,再讓滑塊以某一速度從底端上滑剛好能滑到頂端,用照相機(jī)記錄滑塊下滑和上滑的頻閃照片如圖所示。已知照片上相鄰位置的時間間隔相等,下列說法正確的是( ?。?br />
組卷:80引用:3難度:0.5 -
6.如圖所示,正六邊形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場。一帶正電粒子以速度v1從a點(diǎn)沿ad方向射入磁場,從c點(diǎn)離開磁場;若該粒子以速度v2從a點(diǎn)沿ae方向射入磁場,則從d點(diǎn)離開磁場。不計粒子重力,
的值為( )v1v2組卷:397引用:4難度:0.5
三、非選擇題:本題共6小題,共60分。
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17.如圖為某試驗裝置的示意圖,該裝置由三部分組成:其左邊是足夠長的光滑水平面,一輕質(zhì)彈簧左端固定,右端栓接小物塊A,A右側(cè)帶有鎖定裝置,A及鎖定裝置的總質(zhì)量m=1kg,彈簧原長時A處于P點(diǎn);裝置的中間是長度l=4m的水平傳送帶,它與左右兩邊的臺面等高并平滑對接,傳送帶始終以v=2m/s的速率逆時針轉(zhuǎn)動;裝置的右邊是一半徑為R=1.25m的光滑
圓弧軌道,質(zhì)量M=2kg的小物塊B靜置于軌道最低點(diǎn).現(xiàn)將質(zhì)量M=2kg的小物塊C從圓弧軌道最高點(diǎn)由靜止釋放,沿軌道下滑并與B發(fā)生彈性碰撞。小物塊B滑過傳送帶與A發(fā)生對心碰撞(碰撞時間極短),且碰撞瞬間兩者鎖定,以相同速度一起壓縮彈簧;返回到P點(diǎn)時鎖定裝置將B釋放、并使A停在P點(diǎn),此后B與A發(fā)生多次碰撞,其過程均滿足以上所述.已知物塊B與傳送帶之間的動摩擦因數(shù)μ=0.2,g=10m/s2,彈簧始終處于彈性限度內(nèi)。求:14
(1)B物塊被C碰撞后獲得的速度大小;
(2)物塊B與A發(fā)生第一次碰撞后,彈簧具有的最大彈性勢能;
(3)物塊A、B第n次碰撞后瞬時速度的大小。組卷:207引用:2難度:0.3 -
18.某離子實驗裝置的基本原理如圖所示,Ⅰ區(qū)寬度為d,右邊界為y軸,其內(nèi)充滿垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。Ⅱ區(qū)左邊界為y軸,右邊界與x軸垂直交于C點(diǎn),其內(nèi)y>0區(qū)域內(nèi)充滿與x軸正方向夾角為θ=60°的勻強(qiáng)電場E(大小未知);y<0區(qū)域內(nèi)充滿垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2B。Ⅲ區(qū)左邊界與Ⅱ區(qū)右邊界重合,其內(nèi)充滿勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)與Ⅱ區(qū)場強(qiáng)的大小相等,方向相反。
氙離子(Xe2+ )束從離子源小孔S射出,沿x軸正方向經(jīng)電壓為U的加速電場加速后穿過Ⅰ區(qū),經(jīng)A點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)電場區(qū),再經(jīng)x軸上的P點(diǎn)(未畫出)進(jìn)入磁場,又經(jīng)C點(diǎn)進(jìn)入Ⅲ區(qū),后經(jīng)D點(diǎn)(未畫出)進(jìn)入Ⅱ區(qū)。已知單個離子的質(zhì)量為m、電荷量為2e,剛進(jìn)入Ⅱ區(qū)時速度方向與x軸正方向的夾角為θ=60°,在Ⅱ區(qū)域電場中的位移方向與y軸負(fù)方向夾角為θ=60°。忽略離子間的相互作用,不計重力。
(1)求氙離子進(jìn)入加速電場時的速度大小vs;
(2)求Ⅱ區(qū)域電場強(qiáng)度E的大?。?br />(3)求Ⅱ區(qū)寬度L;
(4)保持上述條件不變,撤掉Ⅲ區(qū)中電場,并分為左右兩部分,分別填充磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B';方向相反且平行y軸的勻強(qiáng)磁場,氙離子仍能經(jīng)D點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū),求磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B'。組卷:141引用:1難度:0.1