2020-2021學年福建省泉州六中高二（下）期中化學試卷

一、選擇題（本題共有20小題，每小題2分，共40分，每小題只有一個選項符合題意）

• 1．氫原子的電子云圖中的小黑點表示的意義是（　?。?/h2>

  A．一個小黑點表示一個電子

  B．黑點的多少表示電子個數(shù)的多少

  C．表示電子運動的軌跡

  D．電子在核外空間出現(xiàn)機會的多少
  組卷：60引用：16難度：0.9

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• 2．下列分子中，其中心原子雜化軌道類型相同的是（　?。?/h2>

  A．H2O與NH3

  B．CO2與SO2

  C．BeCl2與BF3

  D．C2H2與C2H4
  組卷：30引用：3難度：0.5

  解析

• 3．下列化合物中含有手性碳原子的是（　?。?/h2>

  A．CCl2F2

  B．

  C．CH3CH2OH

  D．
  組卷：64引用：2難度：0.7

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• 4．若將₁₅P原子的電子排布式寫成1s²2s²2p⁶3s²3p_x³，它違背了（　?。?/h2>

  A．能量守恒原理	B．泡利不相容原理
  C．能量最低原理	D．洪特規(guī)則
  組卷：21引用：2難度：0.7

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• 5．下列各物質各自形成晶體，均屬于分子晶體的化合物是（　?。?/h2>

  A．NH3、HD、CH4	B．PCl3、CO2、H2SO4
  C．SO2、SiO2、P2O5	D．CCl4、Na2S、H2O2
  組卷：75引用：5難度：0.9

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• 6．許多金屬鹽都可以發(fā)生焰色反應，其原因是激發(fā)態(tài)的電從能量高的軌道躍遷到能量低的軌道時，能量以一定的波長（可見光區(qū)域）光的形式釋放。下列現(xiàn)象和應用與電子躍遷無關的是（　?。?/h2>

  A．激光

  B．石墨導電

  C．霓虹燈

  D．原子光譜
  組卷：79引用：5難度：0.7

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• 7．在第4周期元素中，4s軌道半充滿的元素有（　?。?/h2>

  A．2種

  B．3種

  C．4種

  D．5種
  組卷：53引用：4難度：0.7

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• 8．下列有關微粒性質的比較中，正確的是（　?。?/h2>

  A．原子半徑：P＞O＞N	B．最高正價：F＞S＞C
  C．第一電離能：He＞Ne＞Ar	D．電負性：Si＞Mg＞Al
  組卷：18引用：3難度：0.8

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二、填空題（本題共7大題，共60分）

• 25．H₂O是生命之源，由H₂O分子形成的物質種類繁多。
  （1）H₂O分子內O-H鍵、分子間的范德華力和氫鍵從強到弱依次為

   

  。
  （2）H₂O可與H⁺形成H₃O⁺，H₃O⁺是三角錐空間構型。H₃O⁺中O原子采用的雜化方式為

   

  。
  （3）H₂O₂是一種無色液體，其結構如圖所示。根據“相似相溶規(guī)則”H₂O₂在水中的溶解度

   

  （填“大于”、“小于”、“等于”）其在CCl₄中的溶解度。
  （4）在CrCl₃的水溶液中，一定條件下存在組成為[CrCl_n（H₂O）_6-n]²⁺（n為正整數(shù)）的配離子。則
  ①n=

   

  。
  ②在該配離子中，提供空軌道的元素是

   

  ，提供孤電子對的是

   

  。
  A.Cl^-
  B.H
  C.O
  D.Cr
  組卷：102引用：1難度：0.5

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• 26．以下材料在許多領域尤其是高技術產業(yè)，都是重要原料，廣泛應用于航空航天測控、光纖通訊等領域?；卮鹣铝袉栴}：
  （1）硅常用作半導體材料，基態(tài)硅原子的外圍電子排布式為

   

  。
  （2）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導體材料，熔點如表所示，分析其變化原因：

   

  。
  

  	GaN	GaP	GaAs
  熔點	1700℃	1480℃	1238℃

  （3）Ti（BH₄）₃是一種儲氫材料，Ti（BH₄）₃由Ti³⁺和BH₄^-構成。
  ①Ti³⁺的未成對電子數(shù)有

   

  個。
  ②BH₄^-離子的結構式為

   

  （用“→”標出配位鍵）。
  （4）Mg-Cu合金可用作儲氫材料，具有大容量、壽命高、耐低溫等特點。其晶胞如圖所示：（相對原子質量：Mg：24   Cu：6）。已知Mg-Cu合金的密度為dg?cm^-3，則晶胞參數(shù)a=

   

  cm（用含d、N_A的式子表示）。
  組卷：77引用：1難度：0.6

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