C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外最外層電子排布式 3s23p23s23p2，C、O、Si三種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?O＞C＞SiO＞C＞Si。
（2）干冰是分子晶體，其密度比冰大的原因是 干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當(dāng)大的空隙，所以干冰的密度比冰大干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當(dāng)大的空隙，所以干冰的密度比冰大。SiC晶體的結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為 sp3sp3。
（3）氧化物XO的電子總數(shù)與SiC的相等，則X為 MgMg（填元素符號(hào)），XO是優(yōu)良的耐高溫材料，其熔點(diǎn)比CaO高的原因是 Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大。
（4）向盛有硫酸銅水溶液的試管中加氨水，先形成藍(lán)色沉淀，繼續(xù)加入氨水沉淀溶解，得到深藍(lán)色透明溶液。在這個(gè)過(guò)程中先生成藍(lán)色沉淀，后沉淀溶解的原因是：向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應(yīng)：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應(yīng)：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解。
（5）如圖表示的是SiO2的晶胞結(jié)構(gòu)（白圈代表硅原子，黑點(diǎn)代表氧原子），判斷在30g二氧化硅晶體中含 22molSi-O鍵。如果該立方體的邊長(zhǎng)為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)，則SiO2晶體的密度表達(dá)式為 480NAa3480NAa3g/cm3。
480
N
A
a
3
480
N
A
a
3
【答案】3s23p2；O＞C＞Si；干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當(dāng)大的空隙，所以干冰的密度比冰大；sp3；Mg；Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大；向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應(yīng)：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解；2；
480
N
A
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：10引用：1難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請(qǐng)寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請(qǐng)寫一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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