鈦、銅、鋅及其化合物在生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用,回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式 3d104s13d104s1;元素銅和鋅的第二電離能:I2(Cu) >>I2(Zn)(填“>”、“>”或“=”).
(2)硫酸銅溶于氨水可形成[Cu(NH3)4]SO4絡(luò)合物.[Cu(NH3)4]SO4中N原子的雜化軌道類(lèi)型為 sp3sp3,陰離子的立體構(gòu)型為 正四面體形正四面體形;1mol[Cu(NH3)4]SO4中含有σ鍵的數(shù)目為 20NA20NA.
(3)鈦與鹵素形成的化合物TiX4熔點(diǎn)如右表,則TiF4的熔點(diǎn)比TiCl4高的原因可能是 TiF4為離子晶體,TiCl4為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體TiF4為離子晶體,TiCl4為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體.
TiX4 | TiF4 | TiCl4 | TiBr4 | TiI4 |
熔點(diǎn)/℃ | 377 | -24 | 38.3 | 153 |
O>Cl>C>H
O>Cl>C>H
(填元素符號(hào)).(5)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)為
4
4
;若該晶胞邊長(zhǎng)為apm,NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值,則晶胞密度為 576
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【答案】3d104s1;>;sp3;正四面體形;20NA;TiF4為離子晶體,TiCl4為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體;O>Cl>C>H;4;
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/7/25 8:0:9組卷:1引用:2難度:0.6
相似題
-
1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4