閱讀下面的文字，完成下列各題。
材料一：
      中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費市場，未來有望保持高速發(fā)展，預(yù)計年復(fù)合增速達4.8%。從增量來源來看，5G、光伏智能電網(wǎng)、新能源汽車等是主要的增量來源。

      未來功率半導(dǎo)體將呈現(xiàn)高性能，高增長，高集中度的發(fā)展趨勢：第一，下游新興行業(yè)增量顯著：下游以汽車電子為代表的新興應(yīng)用增速進一步加快，新能源汽車中的電子元器件增量預(yù)計達50億元；第二，自給率仍然偏低，替代空間巨大，目前自給率不足20%，假設(shè)自給率提升到50%，國內(nèi)至少仍有50億美元的市場空間增量；第三，未來集中度會進一步提升，產(chǎn)品碎片化將有所改善：部分高端產(chǎn)品如IGBT、MOSFET技術(shù)壁壘提升，下游對高端產(chǎn)品的依賴度會隨之增加，細分領(lǐng)域集中度提升是必然趨勢。
（摘自《世界半導(dǎo)體大會召開，中國或從第三代半導(dǎo)體材料彎道超車》，2020年8月26）材料二：
      9月27日，世界新能源汽車大會云峰會之一——“第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用”在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC技術(shù)，從芯片、模塊、封裝、材料、工藝、測試及其在電機控制器的應(yīng)用等方面進行了討論，聚焦前沿技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
      本次峰會由國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心副總經(jīng)理鄒廣才主持。線上會議中，清華大學(xué)微電子所長聘教授王燕首先對器件模型的類型進行了介紹，并針對SiC功率MOSFET器件模型的研究現(xiàn)狀、存在問題等進行分析，同時對器件的不同建模方法中I-V特性表征的優(yōu)缺點進行對比。另外，對于其帶領(lǐng)的研究團隊基于DataSheet緊湊模型建立方法所做的相關(guān)研究工作進行了詳細介紹。
      中國科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇圍繞“SiC芯片篩選評估技術(shù)”主題進行演講，針對SiC芯片在材料、器件和工藝、功率模塊等方面該如何進行篩選評估展開介紹，并分享了其研究團隊在SiC芯片篩選研究方面的實踐經(jīng)驗，提出了關(guān)于SiC芯片可靠性和器件篩選新的研究方向。
（摘編自《新能源汽車如何用上“第三代半導(dǎo)體”？》，《人民日報》2020年9月29日）材料三：
      隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的進步，5G、毫米波通訊、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵核心器件的性能將獲得質(zhì)的提升。以氮化鎵材料切入電源管理應(yīng)用為標(biāo)志，第三代半導(dǎo)體的“超級風(fēng)口”已呼嘯而至?！吨腥A人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要》已將推動“碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展”寫入了“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”部分。
      當(dāng)?shù)谝淮?、第二代半?dǎo)體材料工藝逐漸接近物理極限，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸的第三代半導(dǎo)體材料成為行業(yè)發(fā)展的寵兒。事實上，國內(nèi)之所以將半導(dǎo)體材料以“代”來劃分，多少緣自于隨著半導(dǎo)體材料的大規(guī)模應(yīng)用而來的三次產(chǎn)業(yè)革命。第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）為代表，其取代了笨重的電子管，推動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展。第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等為主，銻化銦半導(dǎo)體激光器是光通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件，砷化鎵高速器件更開拓了光纖及移動通信新產(chǎn)業(yè)。而以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料則有效推動著電力汽車等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率（低壓條件下的高頻工作性能）、飽和漂移速率（高壓條件下的高頻工作性能）、禁帶寬度（器件的耐壓性能、最高工作溫度與光學(xué)性能）三項指標(biāo)上均強于硅材料器件。其中，最引人注目的是第三代半導(dǎo)體的“寬禁帶（Wide Band-Gap,WBG）”。高禁帶寬度的好處是，器件耐高壓、耐高溫，并且功率大、抗輻射、導(dǎo)電性能強、工作速度快、工作損耗低。
      但參數(shù)的優(yōu)異并不意味著半導(dǎo)體材料一代更比一代好。事實上，一、二、三代半導(dǎo)體材料各有其適合的應(yīng)用范疇，在未來很長的時間中，這三代半導(dǎo)體材料還將共存。雖然硅材料沒有那么牛的參數(shù)，但在可靠性和整體性能上，目前還沒有任何半導(dǎo)體材料可以和它抗衡。作為半導(dǎo)體行業(yè)人士心中的“終極半導(dǎo)體”，金剛石甚至連實驗室都還沒走出。但同時我們可以看到，隨著氮化鎵材料切入電源管理，化合物半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的風(fēng)貌將迎來改變。
（摘編自《第三代半導(dǎo)體來勢洶洶，前代材料將全面退賽？》，《科技日報》2021年4月15日）（1）下列對材料一相關(guān)內(nèi)容的理解和分析，不正確的一項是

C

C

A．2016年以來，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逐年遞增，預(yù)計2021年達最高；增速有升有降，變化較明顯。
B．從2014年到2016年，國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場規(guī)?；痉€(wěn)定，2017年到2020年市場規(guī)模逐年遞增。
C．2014年到2021年全球和國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場，無論是規(guī)模還是增速，趨勢是一致的，增速也相同。
D．中國功率半導(dǎo)體市場潛力仍很大：如預(yù)計年復(fù)合增速達4.8%，至少仍有50億美元的市場空間增量等。
（2）下列對材料相關(guān)內(nèi)容的概括和分析，正確的一項是

D

D

A．由于下游新興行業(yè)增量顯著，功率半導(dǎo)體自給率仍然偏低，替代空間巨大，未來功率半導(dǎo)體將呈現(xiàn)高集中度的發(fā)展趨勢。
B．在“第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用”研討會上，王燕和許恒宇圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù)，著眼于優(yōu)勢方面進行了分析介紹。
C．第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的運用，5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵核心器件的性能獲得了質(zhì)的提升。
D．一、二、三代半導(dǎo)體材料分別以硅、砷化鎵、碳化硅等為代表，在微電子、光纖及移動通信、電力汽車等產(chǎn)業(yè)各顯神通。
（3）第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，我們該采取什么策略去應(yīng)對？請依據(jù)上述材料概括回答。