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鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為
4s24p1
4s24p1

(2)LiGaH4是一種溫和的還原劑,其可由GaCl3和過量的LiH反應(yīng)制得:GaCl3+4LiH=LiGaH4+3LiCl。
①已知GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,LiCl的熔點(diǎn)為605℃,兩者熔點(diǎn)差異較大的原因?yàn)?
LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力
LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力

②[GaH4]-的立體構(gòu)型為
正四面體形
正四面體形
。
(3)一種含鎵的藥物合成方法如圖所示:

①化合物Ⅰ中環(huán)上C原子的雜化方式為
sp2雜化
sp2雜化
,1mol化合物Ⅰ中含有的σ鍵的物質(zhì)的量為
17mol
17mol
?;衔铫裰兴氐碾娯?fù)性由大到小的順序?yàn)?
O>N>C>H
O>N>C>H
(用元素符號(hào)表示)。
②化合物Ⅱ中Ga的配位數(shù)為
6
6
,x=
1
1
。
(4)Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

①上述晶胞沿著a軸的投影圖為
C
C
(填選項(xiàng)字母)。

②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,晶胞參數(shù)為a=b=3.0×10-10m,c=3.86×10-10m,則其密度為
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
86
×
1
0
-
8
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
0
×
1
0
-
8
×
3
.
86
×
1
0
-
8
g?cm-3(列出計(jì)算式即可)。

【答案】4s24p1;LiCl為離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力是范德華力;正四面體形;sp2雜化;17mol;O>N>C>H;6;1;C;
7
+
70
+
2
×
16
N
A
3
.
0
×
1
0
-
8
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3
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-
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/11/10 15:0:1組卷:37引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
  • 2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     

    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     

    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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