鎵（Ga）、鍺（Ge）、硅（Si）、硒（Se）的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于航空航天測控、光纖通訊等領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：
（1）科學(xué)家常利用

X射線衍射實(shí)驗(yàn)

X射線衍射實(shí)驗(yàn)

區(qū)分晶體硅和無定形硅。
（2）硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁴或[Ar]3d^l04s²4p⁴

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁴或[Ar]3d^l04s²4p⁴

；與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有

3

3

種；

S

e

O

2

-

3

的空間構(gòu)型是 

三角錐形

三角錐形

。
（3）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga

＞

＞

 As （填“＞”或“＜”，后同），第一電離能Ga

＜

＜

As。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)如表所示，分析其變化原因：

三者均為共價晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點(diǎn)逐漸降低

三者均為共價晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點(diǎn)逐漸降低

。

物質(zhì)	GaN	GaP	GaAs
熔點(diǎn)	1700℃	1480℃	1238℃

（5）硒化鋅（ZnSe） 也是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，該晶胞中硒原子的配位數(shù)是

4

4

；已知晶胞邊長為apm,乙圖為甲圖的俯視圖，A點(diǎn)坐標(biāo)為（0，0，0），B點(diǎn)坐標(biāo)為（

a

2

，a,

a

2

），則D點(diǎn)坐標(biāo)

（

3

a

4

，

a

4

，

3

a

4

）

（

3

a

4

，

a

4

，

3

a

4

）

；若該晶胞密度為ρg?cm^-3，則阿伏加德羅常數(shù)N_A為

（

65

+

79

）

4

（

a

×

1

0

-

10

）

3

×

ρ

（

65

+

79

）

4

（

a

×

1

0

-

10

）

3

×

ρ

mol^-1 （只列出計算式）。