鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為

[Ar]3d¹⁰4s²4p²

[Ar]3d¹⁰4s²4p²

，有

2

2

個(gè)未成對(duì)電子。
（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是

Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵

Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵

。
（3）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因

GeCl₄、GeBr₄、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高，原因是分子結(jié)構(gòu)相似，分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)

GeCl₄、GeBr₄、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高，原因是分子結(jié)構(gòu)相似，分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)

。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔點(diǎn)/℃	-49.5	26	146
沸點(diǎn)/℃	83.1	186	約400

（4）光催化還原CO₂制備CH₄反應(yīng)中，帶狀納米Zn₂GeO₄是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是

O＞Ge＞Zn

O＞Ge＞Zn

。
（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為

sp³

sp³

，微粒之間存在的作用力是

共價(jià)鍵

共價(jià)鍵

。
（6）晶胞有兩個(gè)基本要素：
①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0）；B為（

1

2

，0，

1

2

）；C為（

1

2

，

1

2

，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

。
②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為

8

×

73

6

.

02

×

565

.

7

6

3

×10⁷

8

×

73

6

.

02

×

565

.

7

6

3

×10⁷

g?cm^-3（列出計(jì)算式即可）。