氮化鎵（GaN）、磷化鎵（GaP）、砷化鎵（GaAs）材料都是半導(dǎo)體材料。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫出基態(tài)P原子的核外電子排布式

1s²2s²2p⁶3s²3p³

1s²2s²2p⁶3s²3p³

。
（2）GaN、GaP、GaAs具有相同的晶體類型，熔點(diǎn)如表所示，分析其變化原因：

都為原子晶體，熔沸點(diǎn)由共價(jià)鍵的鍵能決定，原子半徑N＜P＜As,鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga—N＞Ga-P＞Ga-As,則熔沸點(diǎn)逐漸降低

都為原子晶體，熔沸點(diǎn)由共價(jià)鍵的鍵能決定，原子半徑N＜P＜As,鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga—N＞Ga-P＞Ga-As,則熔沸點(diǎn)逐漸降低

。

晶體	GaN	GaP	GaAs
熔點(diǎn)/oC	1700	1477	1238

（3）GaAs可由（CH₃）₃Ga和AsH₃反應(yīng)制得。在常溫常壓下，（CH₃）₃Ga為無(wú)色透明液體，（CH₃）₃Ga中Ga原子的雜化方式為

sp²

sp²

；AsH₃分子的空間構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

；與AsH₃互為等電子體的一種微粒為

NH₃

NH₃

。
（4）一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示，晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。圖中F^-和O^2-共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1-x代表，通過(guò)測(cè)定密度ρ和晶胞參數(shù)，可以計(jì)算該物質(zhì)的x值，完成它們關(guān)系表達(dá)式：ρ=

2

×

（

297

+

3

x

）

a

2

c

N

A

×

1

0

-

30

2

×

（

297

+

3

x

）

a

2

c

N

A

×

1

0

-

30

g?cm^-3。

以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如圖1中原子1的坐標(biāo)為（

1

2

，

1

2

，

1

2

），則原子2的坐標(biāo)為

（

1

2

，

1

2

，0）

（

1

2

，

1

2

，0）

。