一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫截面為矩形，體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e。將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。
（1）此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
（2）試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比。
（3）磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C，間的電壓U_CC′，就可測(cè)得B．若已知其霍爾系數(shù)

k

=

1

ned

=

10

m

V

/

m

A

?

T

．并測(cè)得U_CC′=0.6mV，I=3mA．試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。