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砷的一些化合物常用作半導體、除草劑、殺鼠藥等,回答下列問題:
(1)寫出基態(tài)砷原子的電子排布式
[Ar]3d104s24p3
[Ar]3d104s24p3
;有
3
3
個未成對電子。
(2)鎵氮砷合金材料的太陽能電池效率達40%.Ga、N、As電負性由大到小的順序是
N>As>Ga
N>As>Ga

(3)As4O6的分子結構如圖所示,其中As原子的雜化方式為
sp3
sp3
,1mol As4O6含有σ鍵的物質(zhì)的量為
12
12
mol。
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(4)As與N是同族元素,AsH3的沸點比NH3的沸點
,原因是
AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間能形成氫鍵
AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間能形成氫鍵
。
(5)H3AsO4和H3AsO3是砷的兩種含氧酸,根據(jù)結構與性質(zhì)的關系,H3AsO4的酸性比H3AsO3強的原因是:
H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中的As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,正電性更高,導致As-O-H中O的電子向As偏移,更易電離出H+
H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中的As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,正電性更高,導致As-O-H中O的電子向As偏移,更易電離出H+

(6)晶胞有兩個基本要素
①原子坐標參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置,LiZnAs基稀磁半導體的晶胞如圖所示,其中原子坐標參數(shù)A處Li為(0,0,
1
2
);B處As為(
1
4
,
1
4
,
1
4
);C處Li的坐標參數(shù)為
1
2
,
1
2
1
2
1
2
,
1
2
,
1
2
。
菁優(yōu)網(wǎng)
②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知LiZnAs單晶的晶胞參數(shù),a=594pm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,其密度為
4
×
147
5
.
94
×
1
0
-
8
3
N
A
4
×
147
5
.
94
×
1
0
-
8
3
N
A
g?cm-3(列出計算式即可)。

【考點】晶胞的計算
【答案】[Ar]3d104s24p3;3;N>As>Ga;sp3;12;低;AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間能形成氫鍵;H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中的As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,正電性更高,導致As-O-H中O的電子向As偏移,更易電離出H+;(
1
2
1
2
,
1
2
);
4
×
147
5
.
94
×
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0
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8
3
N
A
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:9引用:2難度:0.4
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     

    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     

    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應用。請回答下列相關問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
     
    。
    (2)已知白磷的分子式為P4,其結構如圖1所示??茖W家目前合成了N4分子,其分子結構與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?;瘜W式
     
    (請寫一個分子和一個離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結構如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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