碳、硅及其化合物在生產(chǎn)、生活中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Si原子價(jià)層電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有 33種。
（2）C、O、Si電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?Si＜C＜OSi＜C＜O；CS2分子的空間構(gòu)型為 直線型直線型；CS2的熔點(diǎn) 高于高于（填“高于”或“低于”）CO2。
（3）C和Si與O原子結(jié)合形成CO2和SiO2時(shí)假設(shè)采用甲、乙兩種構(gòu)型：
部分化學(xué)鍵的鍵能如表所示：
| 化學(xué)鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） | 化學(xué)鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） |
| C-C | 331 | C-O | 343 |
| Si-Si | 197 | Si-O | 466 |
| C═C | 620 | CO | 805 |
| Si═Si | 272 | Si═O | 640 |
乙
乙
（填“甲”或“乙”），其雜化方式為 sp3
sp3
，從能量角度解釋Si原子采取該構(gòu)型的原因是 Si原子與O原子形成4個(gè)Si-O鍵的總鍵能比生成兩個(gè)Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩(wěn)定，所以SiO2采用乙構(gòu)型更穩(wěn)定
Si原子與O原子形成4個(gè)Si-O鍵的總鍵能比生成兩個(gè)Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩(wěn)定，所以SiO2采用乙構(gòu)型更穩(wěn)定
。（4）碳化硅（SiC）是人工合成的無(wú)機(jī)非會(huì)屬材料，其晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于金剛石，結(jié)構(gòu)如圖所示：
①在立方體體對(duì)角線的一維空間上碳、硅原子的分布規(guī)律（原子的比例大小和相對(duì)位置）正確的是
a
a
（填字母）。
②SiC晶體中硅原子與最近碳原子間距離為dcm,則硅原子與最近的硅原子間距離為
2
6
3
2
6
3
12
12
。③如果SiC晶胞邊長(zhǎng)為anm,則SiC晶體的密度為
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子軌道雜化方式及雜化類(lèi)型判斷．
【答案】3；Si＜C＜O；直線型；高于；乙；sp3；Si原子與O原子形成4個(gè)Si-O鍵的總鍵能比生成兩個(gè)Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩(wěn)定，所以SiO2采用乙構(gòu)型更穩(wěn)定；a；dpm；12；
2
6
3
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：10引用：2難度：0.6
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿(mǎn)，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4