Zn2+、三乙撐二胺和對(duì)苯二甲酸根離子可形成晶體M,其晶胞示意圖如圖1。
(1)Zn2+的價(jià)層電子排布式是 3d103d10。
(2)C、O、N的電負(fù)性從大到小的順序是 O>N>CO>N>C。
(3)三乙撐二胺()與Zn2+能形成配位鍵的原因是 三乙撐二胺中的N給出孤電子對(duì),Zn2+有空軌道能接受孤電子對(duì)三乙撐二胺中的N給出孤電子對(duì),Zn2+有空軌道能接受孤電子對(duì)。
(4)在晶體M每個(gè)空腔中裝入一個(gè)順式偶氮苯分子后形成晶體M1,晶胞示意圖如圖2。一定條件下隨著偶氮苯順?lè)唇Y(jié)構(gòu)的變化,晶體骨架發(fā)生畸變,晶體在M1和M2兩種結(jié)構(gòu)之間相互轉(zhuǎn)化,可以吸收和釋放N2,被稱為“會(huì)呼吸”的晶體。
晶體 | 裝載分子 | 晶胞中Zn2+個(gè)數(shù) | 晶胞體積/cm3 |
M1 | 順式偶氮苯 | x | 1.30×10-24 |
M2 | 反式偶氮苯 | 4 | 2.46×10-24 |
紫外光
可見光
ii.M1和M2相互轉(zhuǎn)化時(shí),Zn2+的配體和配體數(shù)均不變
①N2的電子式是 。
②偶氮苯()中N的雜化軌道類型是
sp2
sp2
。偶氮苯存在順?lè)串悩?gòu)的原因是分子中兩個(gè)氮原子間存在 π鍵
π鍵
(填“σ鍵”或“π鍵”)。③x=
2
2
。④晶胞密度小則晶體內(nèi)部的空隙大。能讓“會(huì)呼吸”的晶體吸收N2的條件是
紫外
紫外
光照射。【答案】3d10;O>N>C;三乙撐二胺中的N給出孤電子對(duì),Zn2+有空軌道能接受孤電子對(duì);;sp2;π鍵;2;紫外
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:69引用:7難度:0.6
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