GaN是研制微電子器件、光電子器件的第三代半導(dǎo)體材料。
（1）基態(tài)Ga的核外電子排布為[Ar]3d104s24p1，轉(zhuǎn)化為下列激發(fā)態(tài)時(shí)所需能量最少的是 BB。
A.[Ar]
B.[Ar]
C.[Ar]
D.[Ar]
（2）與鎵同主族的B具有缺電子性，硼氫化鈉（NaBH4）是有機(jī)合成中重要的還原劑，其陰離子BH-4的立體構(gòu)型為 正四面體正四面體。另一種含硼的陰離子[B4O5（OH）4]2-的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中B原子的雜化方式為 sp2、sp3sp2、sp3。
（3）GaN、GaP、GaAs熔融狀態(tài)均不導(dǎo)電，據(jù)此判斷它們是 共價(jià)共價(jià)。（填“共價(jià)”或“離子”）化合物。它們的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其熔點(diǎn)如下表所示，試分析GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低的原因 這幾種物質(zhì)都是共價(jià)晶體，N、P、As的原子半徑依次增大，則Ga-N、Ga-P、Ga-N的鍵長(zhǎng)依次增大，鍵能依次減小，導(dǎo)致GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低這幾種物質(zhì)都是共價(jià)晶體，N、P、As的原子半徑依次增大，則Ga-N、Ga-P、Ga-N的鍵長(zhǎng)依次增大，鍵能依次減小，導(dǎo)致GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低。
BH
-
4
| 物質(zhì) | GaN | GaP | GaAs |
| 熔點(diǎn)/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
①圖甲中，GaAs的相對(duì)分子質(zhì)量為M，晶體密度為ρg?cm-3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞中距離最近的兩個(gè)Ga原子間距離為
2
2
3
4
M
ρ
N
A
2
2
3
4
M
ρ
N
A
②圖乙中，a、b的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，0），則c點(diǎn)Mn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為
（0，，）
1
2
1
2
（0，，）
。摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為 1
2
1
2
5：27：32
5：27：32
。【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】B；正四面體；sp2、sp3；共價(jià)；這幾種物質(zhì)都是共價(jià)晶體，N、P、As的原子半徑依次增大，則Ga-N、Ga-P、Ga-N的鍵長(zhǎng)依次增大，鍵能依次減小，導(dǎo)致GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低；××107；（0，，）；5：27：32
2
2
3
4
M
ρ
N
A
1
2
1
2
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：28引用：2難度：0.3
相似題
-
1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
相關(guān)試卷