B、N、F、Ga、As是新一代太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體材料中含有的主要元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式是，基態(tài)Ga原子核外電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為

啞鈴形

啞鈴形

。
（2）在第四周期中，與基態(tài)As原子核外未成對(duì)電子數(shù)目相同的元素為

V、Co

V、Co

。
（3）NF₃的立體構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

。N₂F₂分子中各原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)，分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為

3：1

3：1

，氮原子的雜化軌道類(lèi)型為

sp²

sp²

。
（4）B、Al、Ga單質(zhì)的熔點(diǎn)依次為2300℃，660℃，29.8℃，解釋熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因

硼單質(zhì)是原子晶體，熔點(diǎn)高，Al、Ga均為金屬晶體，且位于同主族，Al、Ga的價(jià)電子數(shù)相同，Al的原子半徑較小，則金屬鍵較強(qiáng)，熔點(diǎn)較高

硼單質(zhì)是原子晶體，熔點(diǎn)高，Al、Ga均為金屬晶體，且位于同主族，Al、Ga的價(jià)電子數(shù)相同，Al的原子半徑較小，則金屬鍵較強(qiáng)，熔點(diǎn)較高

。
（5）由B、N、F組成的某離子化合物中，B、N、F的原子個(gè)數(shù)比為1：1：8，其陰、陽(yáng)離子互為等電子體，該化合物中的陽(yáng)離子、陰離子符號(hào)分別為。
（6）GaAs晶體結(jié)構(gòu)如右圖所示。
①圖中As原子的坐標(biāo)參數(shù)為（

1

4

，

1

4

，

3

4

），（

3

4

，

3

4

，

3

4

），（

3

4

，

1

4

，

1

4

），

（

1

4

，

3

4

，

1

4

）

（

1

4

，

3

4

，

1

4

）

。
②已知晶胞中相鄰且最近的Ga、As原子的核間距為acm,N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，晶體的密度為

435

3

16

a

3

N

A

435

3

16

a

3

N

A

g/cm³（填寫(xiě)表達(dá)式）。