B、N、F、Ga、As是新一代太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體材料中含有的主要元素?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式是,基態(tài)Ga原子核外電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為 啞鈴形啞鈴形。
(2)在第四周期中,與基態(tài)As原子核外未成對(duì)電子數(shù)目相同的元素為 V、CoV、Co。
(3)NF3的立體構(gòu)型為 三角錐形三角錐形。N2F2分子中各原子都滿足8電子結(jié)構(gòu),分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為 3:13:1,氮原子的雜化軌道類型為 sp2sp2。
(4)B、Al、Ga單質(zhì)的熔點(diǎn)依次為2300℃,660℃,29.8℃,解釋熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因 硼單質(zhì)是原子晶體,熔點(diǎn)高,Al、Ga均為金屬晶體,且位于同主族,Al、Ga的價(jià)電子數(shù)相同,Al的原子半徑較小,則金屬鍵較強(qiáng),熔點(diǎn)較高硼單質(zhì)是原子晶體,熔點(diǎn)高,Al、Ga均為金屬晶體,且位于同主族,Al、Ga的價(jià)電子數(shù)相同,Al的原子半徑較小,則金屬鍵較強(qiáng),熔點(diǎn)較高。
(5)由B、N、F組成的某離子化合物中,B、N、F的原子個(gè)數(shù)比為1:1:8,其陰、陽(yáng)離子互為等電子體,該化合物中的陽(yáng)離子、陰離子符號(hào)分別為。
(6)GaAs晶體結(jié)構(gòu)如右圖所示。
①圖中As原子的坐標(biāo)參數(shù)為(14,14,34),(34,34,34),(34,14,14),(14,34,14)(14,34,14)。
②已知晶胞中相鄰且最近的Ga、As原子的核間距為acm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,晶體的密度為 435316a3NA435316a3NAg/cm3(填寫表達(dá)式)。
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【答案】啞鈴形;V、Co;三角錐形;3:1;sp2;硼單質(zhì)是原子晶體,熔點(diǎn)高,Al、Ga均為金屬晶體,且位于同主族,Al、Ga的價(jià)電子數(shù)相同,Al的原子半徑較小,則金屬鍵較強(qiáng),熔點(diǎn)較高;(,,);
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:27引用:1難度:0.5
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②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
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C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問題。
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