Ga和As均位于周期表第四周期,砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。請回答下列問題:
(1)寫出基態(tài)As原子的價電子排布圖 。
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga
大于
大于
As(填“大于”或“小于”)。
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為 三角錐形
三角錐形
。
(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是 GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高
GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高
。
(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,硬度大,該晶體的類型為 共價晶體
共價晶體
。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖中原子2的坐標(biāo)為(,,),則原子3的坐標(biāo)為 ,若Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為M1g?mol-1和M2g?mol-1,晶胞參數(shù)為acm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶體密度表達(dá)式為 g?cm-3。