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B、Si和P是組成半導(dǎo)體材料的重要元素。回答下列問題
(1)基態(tài)B、Si和P中,單電子數(shù)最多的是
P
P
,電負(fù)性最大的是
P
P
。
(2)PCl3中心原子的雜化類型為
sp3
sp3
,BCl3與陰離子
CO
2
-
3
NO
-
3
CO
2
-
3
NO
-
3
互為等電子體。
(3)SiCl4極易與水反應(yīng),其反應(yīng)機理如圖1所示。
菁優(yōu)網(wǎng)
①上述反應(yīng)機理涉及的分子中屬于非極性分子的是
SiCl4和H4SiO4
SiCl4和H4SiO4
。(填化學(xué)式)
②關(guān)于上述反應(yīng)機理的說法正確的是
BC
BC
。
A.Si的雜化方式一直沒有發(fā)生變化
B.H2O中O通過孤對電子與Si形成配位鍵
C.只涉及了極性共價鍵的斷裂與形成
(4)兩種含硅化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示
①這兩種含硅化合物的化學(xué)式分別為
SiB6
SiB6
SiP
SiP
。
②Ⅰ的晶胞參數(shù)為apm,則Ⅰ的密度為
94
a
3
N
A
×1030
94
a
3
N
A
×1030
g?cm-3。
③Ⅱ的晶胞參數(shù)為bpm,Si和P的原子半徑分別為r1pm和r2pm,則Ⅱ的空間占有率為
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
a
3
=
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
b
3
×100%
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
a
3
=
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
b
3
×100%
。

【答案】P;P;sp3;
CO
2
-
3
NO
-
3
等;SiCl4和H4SiO4;BC;SiB6;SiP;
94
a
3
N
A
×1030;
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
a
3
=
16
π
r
3
1
+
r
3
2
3
b
3
×100%
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:36引用:2難度:0.5
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     

    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
     
    。
    (2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?;瘜W(xué)式
     
    (請寫一個分子和一個離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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