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材料是人類賴以生存和發(fā)展的物質基礎。下列物品使用了SiO2的是( ?。?br />①陶瓷餐具;
②光導纖維;
③水晶項鏈;
④硅太陽能電池;
⑤計算機芯片;
⑥石英鐘。

【答案】B
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/29 8:0:10組卷:10引用:3難度:0.8
相似題
  • 1.a是一種難溶于水的氧化物,能熔于熔融態(tài)的燒堿,生成易溶于水的化合物b,將少量b溶液滴入鹽酸中,最終能生成一種白色的膠狀沉淀,則a為(  )

    發(fā)布:2024/12/21 8:0:2組卷:8引用:1難度:0.9
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中,與其他礦物共同構成巖石.晶體硅(熔點 1410℃)用途廣泛,制取與提純方法有多種.
    (1)煉鋼開始和結束階段都可能發(fā)生反應:Si+2FeO
    高溫
     2Fe+SiO2,其目的是
     

    A.得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥 
    B.制取SiO2,提升鋼的硬度
    C.除去生鐵中過多的Si雜質
    D.除過量FeO,防止鋼變脆
    (2)一種由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)
    C
    l
    2
    460
    SiCl4
    蒸餾
    SiCl4(純)
    H
    2
    1100
    Si(純),在上述由SiCl4制純硅的反應中,測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應的熱化學方程式:
     

    對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4)下列敘述正確的是
     

    A.NaX易水解               
    B.SiX4是共價化合物
    C.NaX的熔點一般高于SiX4 D.SiF4晶體是由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結構
    (3)粗硅經(jīng)系列反應可生成硅烷(SiH4),硅烷分解也可以生成高純硅.硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷,所以Si元素的非金屬性弱于C元素,用原子結構解釋其原因:
     

    (4)此外,還可以將粗硅轉化成三氯氫硅(SiHCl3),通過反應:SiHCl3(g)+H2(g)?Si(s)+3HCl(g)制得高純硅.不同溫度下,SiHCl3的平衡轉化率隨反應物的投料比(反應初始時,各反應物的物質的量之比)的變化關系如下圖所示.下列說法正確的是
     
    (填字母序號).
    a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
    b.橫坐標表示的投料比應該是
    n
    S
    i
    HC
    l
    3
    n
    H
    2

    c.實際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,可適當降低壓強
    (5)硅元素最高價氧化物對應的水化物是H2SiO3.室溫下,0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液,堿性更強的是
     
    ,其原因是
     

    已知:H2SiO3:Ki1=2.0×10-10      Ki2=1.0×10-12 H2CO3:Ki1=4.3×10-7       Ki2=5.6×10-11

    發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:89引用:1難度:0.5
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.硅及其化合物的開發(fā)由來已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應用.回答下列問題.
    (1)高純硅是現(xiàn)代信息、半導體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎材料.工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應如圖.
    發(fā)生的主要反應
    電弧爐 SiO2+2C
    1600
    -
    1800
    Si+2CO↑
    流化床反應器 Si+3HCl
    250
    -
    300
    SiHCl3+H2
    還原爐
    ①還原爐中發(fā)生主要反應的化學方程式為
     
    .該工藝中可循環(huán)使用的物質為
     
    (填化學式).用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅,該反應的化學方程式為
     

    ②在流化床反應的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關物質的沸點數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和
     

    物質 Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4
    沸點/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9
    ③SiHCl3極易水解,其完全水解的化學方程式為
     

    (2)氮化硅(Si3N4)是一種高溫結構材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應制?。勰頢i3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定.但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理,可以制得結構十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料,同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2
    ①由SiCl4和NH3反應制取Si3N4的化學方程式為
     

    ②四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下,加強熱發(fā)生反應,使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅,該反應的化學方程式為
     

    ③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成
     
    物質(填化學式).熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是
     

    發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:29引用:1難度:0.5
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