元素周期表第IIIA族包括B、Al、Ga等元素，它們參與形成的化合物有重要研究和應(yīng)用價(jià)值，回答下列問題：
（1）Ga原子的價(jià)電子排布式為

4s²4p¹

4s²4p¹

；Ga、As和Se的第一電離能由小到大的順序是

Ga＜Se＜As

Ga＜Se＜As

。
（2）實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，氯化鋁的蒸氣或溶于非極性溶劑中或處于熔融狀態(tài)時(shí)，都以二聚態(tài)（Al₂Cl₆）形式存在。其球棍模型如圖所示。

①該分子中Al原子采取

sp³

sp³

雜化。
②Al₂Cl₆與過量NaOH溶液反應(yīng)生成Na[Al（OH）₄]，[Al（OH）₄]^-中存在的化學(xué)鍵類型有

BEF

BEF

 （填標(biāo)號(hào)）。
A．離子鍵
B．極性共價(jià)鍵
C．金屬鍵
D．非極性共價(jià)鍵
E．配位鍵
F．σ鍵
G．氫鍵
（3）GaN是第三代半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)，在干燥的NH₃氣流中焙燒磨細(xì)的GaAs可制得GaN。GaN熔點(diǎn)約為1500℃，GaAs熔點(diǎn)為1238℃，GaN熔點(diǎn)高于GaAs的原因是

二者均為共價(jià)晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短，鍵能更大，熔點(diǎn)更高

二者均為共價(jià)晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短，鍵能更大，熔點(diǎn)更高

。
（4）GaN的其中一種晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)高度相似。該晶胞中Ga原子處于N原子形成的

正四面體

正四面體

（填“正四面體形”或“正八面體形”）空隙。已知GaN的密度為ρg/cm³，Ga和N的摩爾質(zhì)量分別為ag/mol和bg/mol,則GaN晶胞的邊長(zhǎng)為

3

4

a

+

4

b

ρ

N

A

×

1

0

10

3

4

a

+

4

b

ρ

N

A

×

1

0

10

pm（列出表達(dá)式）。