氮化鎵是全球半導體研究的前沿和熱點,可由氨氣流中高溫加熱金屬鎵和碳酸銨的混合物制備。
回答下列問題:
(1)基態(tài)Ga原子的價電子排布式為 4s24p14s24p1;基態(tài)N原子的2s電子云半徑大于1s電子云半徑的原因為 2s電子能量高于1s電子,克服原子核的吸引在離核更遠的區(qū)域出現(xiàn)的概率更大,電子云更擴散,半徑更大2s電子能量高于1s電子,克服原子核的吸引在離核更遠的區(qū)域出現(xiàn)的概率更大,電子云更擴散,半徑更大。
(2)C、N、O、Ga的第一電離能由大到小的順序為 N>O>C>GaN>O>C>Ga;CO的沸點高于相同條件下N2沸點的原因為 CO為極性分子,N2為非極性分子,CO的分子間作用力更大,所以CO的沸點高于相同條件下N2的沸點CO為極性分子,N2為非極性分子,CO的分子間作用力更大,所以CO的沸點高于相同條件下N2的沸點。
(3)NH3的鍵角小于NH4+的原因為 NH3中N原子有一對孤電子對,NH4+中沒有孤電子對,孤電子對對成鍵電子對的排斥作用大于成鍵電子對對成鍵電子對的排斥力,使鍵角更小NH3中N原子有一對孤電子對,NH4+中沒有孤電子對,孤電子對對成鍵電子對的排斥作用大于成鍵電子對對成鍵電子對的排斥力,使鍵角更小,1molNH4+中配位鍵的數(shù)目為 NANA。
(4)CO32-的立體構(gòu)型為 平面三角形平面三角形;其中碳原子的雜化方式為 sp2sp2。
(5)氮化鎵晶體有閃鋅礦型和纖鋅礦型兩種結(jié)構(gòu),晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①閃鋅礦型立方氮化鎵晶體中,由氮原子構(gòu)成的正八面體空隙和正四面體空隙之比為 1:21:2。
②若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則纖鋅礦型六方氮化鎵晶體的密度ρ=3.36×10233NAa2c3.36×10233NAa2cg?cm-3(用含a、c、NA的代數(shù)式表示)。
3
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×
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N
A
a
2
c
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【答案】4s24p1;2s電子能量高于1s電子,克服原子核的吸引在離核更遠的區(qū)域出現(xiàn)的概率更大,電子云更擴散,半徑更大;N>O>C>Ga;CO為極性分子,N2為非極性分子,CO的分子間作用力更大,所以CO的沸點高于相同條件下N2的沸點;NH3中N原子有一對孤電子對,NH4+中沒有孤電子對,孤電子對對成鍵電子對的排斥作用大于成鍵電子對對成鍵電子對的排斥力,使鍵角更??;NA;平面三角形;sp2;1:2;
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:60引用:2難度:0.9
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