高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料．

（1）硅元素位于周期表的位置

第三周期第ⅣA族

第三周期第ⅣA族

．下面有關(guān)硅材料的說(shuō)法中正確的是

BCD

BCD

（填字母）．
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料---光導(dǎo)纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，故在玻璃尖口點(diǎn)燃H₂時(shí)出現(xiàn)黃色火焰
E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：圖1
請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整：SiO₂（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=

+638.4 kJ?mol^-1

+638.4 kJ?mol^-1

（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH₄），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：

C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si

C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si

，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl₃），進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅．
①SiHCl₃中含有的SiCl₄、AsCl₃等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用

蒸餾（或分餾）

蒸餾（或分餾）

 方法提純SiHCl₃．

物質(zhì)	SiHCl3	SiCl4	AsCl3
沸點(diǎn)/℃	32.0	57.5	131.6

②用SiHCl₃制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl₃（g）+H₂（g） 

一定條件下

Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時(shí)，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖所示．下列說(shuō)法正確的是

ac

ac

（填字母序號(hào)）．

a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大 
 b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是

n

（

S

i

HC

l

3

）

n

（

H

2

）

c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl₃的利用率，應(yīng)適當(dāng)升高溫度
③整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃↓+H₂↑+3HCl↑

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃↓+H₂↑+3HCl↑

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