（1）下表是第三周期部分元素氧化物和氟化物的熔點(diǎn)和摩氏硬度：

化合物	NaF	MgF2	MgO	SiF4	SiO2
熔點(diǎn)/K	1266	1534	3125	183	1983
摩氏硬度	3.2	6.0	6.5		7

請回答下列問題
①基態(tài)硅原子的價(jià)電子排布式是，SiO₂中硅原子的雜化軌道類型是．
②請解釋幾種氟化物熔點(diǎn)差異的主要原因．
③請解釋MgF₂和MgO摩氏硬度差異的主要原因．
（2）等電子體CO與N₂分子的結(jié)構(gòu)式可分別表示為C≡O(shè)和N≡N．兩者分子中有配位鍵的是；結(jié)合事實(shí)判斷CO和N₂相對更活潑的是（填化學(xué)式），試用下表中的鍵能數(shù)據(jù)解釋相對活潑的原因

CO	C-O	C=O	C≡O(shè)
鍵能（kJ?mol - 1 ）	357.7	798.9	1071.9
N2	N-N	N=N	N≡N
鍵能（kJ?mol - 1 ）	154.8	418.4	941.7

（3）NO也具有一定的氧化性，且一般還原產(chǎn)物為N₂，已知NO與P₄在無氧條件下反應(yīng)生成的氧化物中僅存在σ鍵，寫出該反應(yīng)方程式．
（4）氫鍵的形成對物質(zhì)的性質(zhì)具有一定的影響． 比 的沸點(diǎn)．（填高或低）

【考點(diǎn)】原子核外電子排布；配合物與超分子；氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷．

【答案】3s²3p²；sp³；NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，故SiF₄的熔點(diǎn)低；Mg²⁺的半徑比Na⁺的半徑小，Mg²⁺帶2個單位正電荷數(shù)比Na⁺多，故MgF₂的熔點(diǎn)比NaF高；；因?yàn)镺^2-所帶電荷多于F^-，所以MgO晶體中離子的晶格能大于MgF2，故摩式硬度較大；CO；CO，斷裂CO分子的第一個π鍵所需的能量（1071.9kJ/mol-798.9kJ/mol=273kJ/mol），比斷開N₂的第一個化學(xué)鍵所需能量（941.7kJ/mol-418.4kJ/mol=523.3kJ/mol）??；6NO+P₄=3N₂+P₄O₆；高