由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途,回答下列問題:
(1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s21s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2,P、S、C1的第一電離能由大到小順序為Cl>P>SCl>P>S。
(2)SCl2 分子中的中心原子雜化軌道類型是sp3sp3,該分子空間構型為V形V形。
(3)Fe、Co、Ni 等過渡元素易與CO 形成配合物,化學式遵循18 電子規(guī)則:中心原子的價電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18,如Ni 與CO 形成配合物化學式為Ni (CO)4,則Fe 與CO 形成配合物化學式為Fe(CO)5Fe(CO)5。Ni(CO)4中σ鍵與π鍵個數(shù)比為1:11:1,已知:Ni(CO)4熔點-19.3℃,沸點43℃,則Ni (CO)4為分子分子晶體。
(4)已知NiO 的晶體結構如圖1所示。
①NiO的晶體結構可描述為:氧原子位于面心和頂點,氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙,鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的正八面正八面體空隙中。
②已知MgO與NiO的晶體結構相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm 和69pm。則熔點:MgO>> NiO( 填“>”、“<”或“=”),理由是Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大。
③一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認為O2-作密置單層排列,Ni2+填充O2-形成的正三角形空隙中(如圖2),已知O2-的半徑為am,每平方米面積上分散的NiO 的質(zhì)量為2532a2NA2532a2NAg.(用a、NA表示)
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3
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a
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N
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【考點】晶胞的計算.
【答案】1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2;Cl>P>S;sp3;V形;Fe(CO)5;1:1;分子;正八面;>;Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大;
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:30引用:4難度:0.5
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②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
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