如圖甲所示，是一臺質譜儀的簡化結構模型。大量質量為m=6.4×10^-27kg、電荷量為q=+3.2×10^-19C的α粒子（即

4

2

He核），從容器A下方飄入電勢差為U₀=400V的加速電場中，其初速度可視為0。若偏轉電場不加電壓，α粒子經加速后，將沿偏轉電場的中軸線（圖中虛線路徑）出射后緊跟著馬上垂直屏的方向射入一垂直紙面向外的勻強磁場中，經磁場偏轉后擊中屏?，F(xiàn)在偏轉電場兩極間加上如圖乙所示隨時間變化的電壓，其中T遠大于粒子經過偏轉電場的時間。偏轉電場兩板間寬度d=4cm,兩極板正對區(qū)域可視為勻強電場，正對區(qū)域以外的電場忽略不計。不計粒子所受重力和阻力，求：
（1）α粒子出加速電場時速度v₁的大?。?br />（2）為使α粒子經偏轉電場后能全部進入偏轉磁場，偏轉電場極板長度的取值范圍；
（3）當偏轉電場極板長度L=8cm時，若容器A中除了題干中已知的α粒子外，還存在另一種粒子氚核（

3

1

H），為使兩種粒子均能擊中屏且擊中屏的位置沒有重疊，則偏轉磁場的磁感應強度不能超過多少？