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在芯片制造過(guò)程中,離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖,離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,然后通過(guò)磁分析器,選擇出特定比荷的離子,經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓(硅片)。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向均垂直紙面向外;速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E,方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán),其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔;偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布區(qū)域是同一棱長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體,其偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面與晶圓所在水平面平行,間距也為L(zhǎng)。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)及磁場(chǎng)時(shí),離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)(即圖中坐標(biāo)原點(diǎn),x軸垂直紙面向外)。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中,不計(jì)離子重力,打在晶圓上的離子,經(jīng)過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的角度都很小。當(dāng)α很小時(shí),有sinα≈tanα≈α,cosα≈1-
1
2
α2。求:
菁優(yōu)網(wǎng)
(1)離子通過(guò)速度選擇器后的速度大小v和磁分析器選擇出來(lái)離子的比荷
q
m
;
(2)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場(chǎng)時(shí)離子注入晶圓的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示;
(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場(chǎng)時(shí)離子注入晶圓的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示;
(4)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場(chǎng)和磁場(chǎng)時(shí)離子注入晶圓的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示,并說(shuō)明理由。

【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:1153引用:5難度:0.3
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    3
    5
    。
    (1)若粒子經(jīng)電場(chǎng)加速一次后正好打在P點(diǎn)處的粒子靶上,求可調(diào)電源電壓U0的大小;
    (2)調(diào)整電壓的大小,使粒子不能打在擋板OM上,求電壓的最小值Umin;
    (3)若L0=
    5
    m
    v
    0
    q
    B
    ,當(dāng)電壓從零開始連續(xù)緩慢增加時(shí),求粒子靶最多能接收到幾種能量的粒子。(假定在每個(gè)粒子的整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電壓恒定)

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    y
    =
    x
    2
    4
    ,在曲線上有一點(diǎn)P,其x軸坐標(biāo)x=2m,在y軸上有一Q點(diǎn),其坐標(biāo)為
    0
    ,
    1
    +
    2
    3
    。從Q點(diǎn)沿平行于x軸方向以初速度v0射入一質(zhì)量為m=2×10-9kg、帶電量大小為q=10-5C的帶電粒子(不計(jì)重力),在一象限存在垂直于xOy平面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng),該帶電粒子恰好通過(guò)P點(diǎn),則( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/10/25 13:30:2組卷:30引用:2難度:0.7
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