ⅢA族與ⅤA族元素及其化合物具有眾多優(yōu)良特性，可用于制作航天器等耐高溫設備?；卮鹣铝袉栴}。
（1）Al原子中電子占據(jù)的最高能層符號為 MM，第三周期元素中第一電離能介于Al和P有 33種
（2）AlCl3在氣態(tài)時可以發(fā)生二聚，其分子式為Al2Cl6，其二聚體結構如圖1，請在圖中以“→”表示該結構中存在的配位鍵
或
或。其中Cl-Al-Cl鍵角的大小情況是AlCl3＞＞Al2Cl6（填“＜”、“＞”或“=”下同），原因為 AlCl3為sp2雜化，Al2Cl6為sp3雜化，因此鍵角更小AlCl3為sp2雜化，Al2Cl6為sp3雜化，因此鍵角更小。
（3）咪唑結構為
，N原子的雜化類型為 sp2sp2，分子中的大π鍵可以用符號πmn表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)。則咪唑中的大π鍵可表示為 π65π65。
（4）噻唑結構與咪唑很相似，結構為
，噻唑的熔沸點 小于小于咪唑，原因是 咪唑可以形成分子間氫鍵咪唑可以形成分子間氫鍵。
（5）氮化鋁晶體是第三代半導體材料的典型代表之一，屬于六方晶系，其晶胞結構如圖2所示，Al原子位于氮原子形成的 正四面體正四面體空隙（填“正四面體”或“正八面體”）。已知晶胞的密度為ρg?cm-3，兩種原子半徑分別為rNnm和rAlnm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 4πNAρ（r3N+r3Al）1.23×1021%4πNAρ（r3N+r3Al）1.23×1021%。（用含ρ、rN、rAl和NA的代數(shù)式表示）
或或π
6
5
π
6
5
4
π
N
A
ρ
（
r
3
N
+
r
3
A
l
）
1
.
23
×
1
0
21
%
4
π
N
A
ρ
（
r
3
N
+
r
3
A
l
）
1
.
23
×
1
0
21
%
【答案】M；3；或；＞；AlCl3為sp2雜化，Al2Cl6為sp3雜化，因此鍵角更??；sp2；；小于；咪唑可以形成分子間氫鍵；正四面體；
或；＞；AlCl3為sp2雜化，Al2Cl6為sp3雜化，因此鍵角更??；sp2；π
6
5
4
π
N
A
ρ
（
r
3
N
+
r
3
A
l
）
1
.
23
×
1
0
21
%
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：21引用：1難度：0.3
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7